三菱RF MOSFET模块
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA07H4452M
框图
2
3
符合RoHS标准， 440-520MHz
7W 12.5V ， 2级放大器。用于便携式无线电
描述
该RA07H4452M是一个7瓦的射频MOSFET放大器模块
12.5伏的工作在440目 520 MHz的便携式收音机
范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压（V
GG
= 0V）时，只有很小的漏电流流入
漏极和RF输入信号衰减高达60分贝。输出
功率和漏电流增加，作为栅电压的增加。
周围2.5V （最低） ，输出功率栅极电压和
基本上漏电流增大。额定输出功率
在3V （典型值）和3.5V （最大）变为可用。在
V
GG
= 3.5V ，典型栅极电流为1毫安。
这个模块是专为非线性调频调制，但可能
还通过将漏极静态用于线性调制
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率。
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=12.5V, V
GG
=0V)
P
OUT
>7W @ V
DD
=12.5V, V
GG
= 3.5V ，P
in
=20mW
η
T
>40 ％@ P
OUT
= 7W （V
GG
控制） ，V
DD
= 12.5V ，P
in
=20mW
宽带频率范围： 440-520MHz
低功耗控制电流I
GG
= 1mA（典型值），在V
GG
=3.5V
模块尺寸： 30 ×10× 5.4毫米
线性操作可以通过设置静态漏
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率
1
4
5
1
2
3
4
5
RF输入（P
in
)
栅极电压（V
GG
） ，功率控制
漏极电压（V
DD
） ，电池
RF输出（P
OUT
)
射频接地（CASE ）
封装代码： H46S
符合RoHS标准
RA07H4452M - 101是一个符合RoHS标准的产品。
符合RoHS指令是由后地块标记字母“ G”表示。
本产品包括铅在电子部件的玻璃和
铅在电子陶瓷部件。
如何以往，它适用于RoHS指令的下列情况除外。
1.Lead在阴极射线管中，电子部件的玻璃，以及
日光灯管。
2.Lead电子陶瓷部件。
订货信息：
订单号
RA07H4452M-101
供货形式
防静电托盘，
25模块/托盘
RA07H4452M
三菱电机
1/8
2006年1月24日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS标准
RA07H4452M
等级
16
13.2
4
30
10
-30至+90
-40到+110
单位
V
V
V
mW
W
°C
°C
最大额定值
(T
例
= + 25 ℃，除非另有规定）
符号参数
V
DD
V
DD
V
GG
P
in
P
OUT
T
案例（ OP ）
T
英镑
漏极电压
漏极电压
栅极电压
输入功率
输出功率
操作外壳温度范围
存储温度范围
条件
V
GG
= 0V ，磷
in
=0W
V
GG
<3.5V
V
DD
<12.5V ，P
in
<20mW
f=440-520MHz,
Z
G
=Z
L
=50
上述参数是独立保证。
电气特性
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
符号参数
f
P
OUT
η
T
2f
o
ρ
in
I
GG
—
—
频带
输出功率
总有效率
2
nd
条件
V
DD
=12.5V,V
GG
= 3.5V ，P
in
=20mW
P
OUT
= 7W （V
GG
控制） ，
V
DD
=12.5V,
P
in
=20mW
民
440
7
40
典型值
最大
520
单位
兆赫
W
%
谐波
-25
4:1
1
dBc的
—
mA
—
—
输入VSWR
栅电流
稳定性
负载VSWR容差
V
DD
= 7.2-13.2V ，P
in
= 10-30mW ，P
OUT
<8W （V
GG
控制） ，
负载电压驻波比= 4 ：1的
V
DD
= 13.2V ，P
in
= 20毫瓦，P
OUT
= 7.0W （V
GG
控制） ，
负载电压驻波比= 20 ：1的
无寄生振荡
没有退化或破坏
所有参数，条件，收视率，并限制如有变更，恕不另行通知。
RA07H4452M
三菱电机
2/8
2006年1月24日
硅射频功率半导体
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA07H4452M
RA07H4452M
07H4452
框图
2
3
符合RoHS指令，
440-520MHz 7W 12.5V ， 2级放大器。用于便携式无线电
描述
该RA07H4452M是一个7瓦的射频MOSFET放大器模块
12.5伏的工作在440目 520 MHz的便携式收音机
范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压（V
GG
= 0V）时，只有很小的漏电流流入
漏极和RF输入信号衰减高达60分贝。输出
功率和漏电流增加，作为栅电压的增加。
周围2.5V （最低） ，输出功率栅极电压和
基本上漏电流增大。额定输出功率
在3V （典型值）和3.5V （最大）变为可用。在
V
GG
= 3.5V ，典型栅极电流为1毫安。
这个模块是专为非线性调频调制，但可能
还通过将漏极静态用于线性调制
电流与栅极电压和控制输出功率与
输入功率。
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=12.5V, V
GG
=0V)
P
OUT
>7W @ V
DD
=12.5V, V
GG
= 3.5V ，P
in
=20mW
η
T
>40 ％@ P
OUT
= 7W （V
GG
控制） ，V
DD
= 12.5V ，P
in
=20mW
宽带频率范围： 440-520MHz
低功耗控制电流I
GG
= 1mA（典型值），在V
GG
=3.5V
模块尺寸： 30 ×10× 5.4毫米
线性操作可以通过设置静态漏
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率
1
4
5
1
2
3
4
5
RF输入（P
in
)
栅极电压（V
GG
） ，功率控制
漏极电压（V
DD
） ，电池
RF输出（P
OUT
)
射频接地（CASE ）
封装代码： H46S
符合RoHS标准
RA07H4452M - 101是一个符合RoHS标准的产品。
符合RoHS指令是由后地块标记字母“ G”表示。
本产品包括铅在电子部件的玻璃和
铅在电子陶瓷部件。
如何以往，它适用于RoHS指令的下列情况除外。
1.Lead在阴极射线管中，电子部件的玻璃，以及
日光灯管。
2.Lead电子陶瓷部件。
订货信息：
订单号
RA07H4452M-101
供货形式
防静电托盘，
50个模块/托盘
RA07H4452M
2010年6月28日
1/9
静电敏感器件
观察处理注意事项
硅射频功率半导体
符合RoHS标准
RA07H4452M
RA07H4452M
07H4452
等级
16
13.2
4
30
10
-30至+90
-40到+110
单位
V
V
V
mW
W
°
C
°
C
最大额定值
(T
例
= + 25 ℃，除非另有规定）
符号参数
V
DD
V
DD
V
GG
P
in
P
OUT
T
案例（ OP ）
T
英镑
漏极电压
漏极电压
栅极电压
输入功率
输出功率
操作外壳温度范围
存储温度范围
f=440-520MHz,
Z
G
=Z
L
=50
条件
V
GG
= 0V ，磷
in
=0W
V
GG
<3.5V
V
DD
<12.5V ，P
in
<20mW
上述参数是独立保证。
电气特性
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
符号参数
f
P
OUT
η
T
2f
o
ρ
in
I
GG
—
—
频带
输出功率
总有效率
2
nd
条件
V
DD
=12.5V,V
GG
= 3.5V ，P
in
=20mW
P
OUT
= 7W （V
GG
控制） ，
V
DD
=12.5V,
P
in
=20mW
V
DD
= 7.2-13.2V ，P
in
= 10-30mW ，P
OUT
<8W （V
GG
控制） ，
负载电压驻波比= 4 ：1的
V
DD
= 13.2V ，P
in
= 20毫瓦，P
OUT
= 7.0W （V
GG
控制） ，
负载电压驻波比= 20 ：1的
民
440
7
40
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
1
最大
520
-
-
-25
4:1
-
单位
兆赫
W
%
dBc的
—
mA
—
—
谐波
输入VSWR
栅电流
稳定性
负载VSWR容差
无寄生振荡
没有退化或破坏
所有参数，条件，收视率，并限制如有变更，恕不另行通知。
RA07H4452M
2010年6月28日
2/9
QQ：2881677436 复制
