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静电敏感器件
观察处理注意事项
硅射频功率半导体
符合RoHS标准
RA07H4452M
RA07H4452M
07H4452
典型性能
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
输出功率和漏电流
与漏极电压
15
输出功率P
OUT
(W)
12
9
6
3
0
2
4
6
8
10
漏极电压V
DD
(V)
12
I
DD
f=520MHz,
V
GG
=3.5V,
P
in
=20mW
P
OUT
5
4
3
2
1
0
漏电流I
DD
(A)
输出功率和漏电流
与栅极电压
14
输出功率P
OUT
(W)
12
10
8
6
4
2
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
栅极电压V
GG
(V)
4
I
DD
f=440MHz,
V
DD
=12.5V,
P
in
=20mW
P
OUT
输出功率和漏电流
与栅极电压
7
漏电流I
DD
(A)
6
5
4
3
2
1
0
输出功率P
OUT
(W)
14
12
10
8
6
4
2
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
栅极电压V
GG
(V)
4
I
DD
f=480MHz,
V
DD
=12.5V,
P
in
=20mW
P
OUT
7
漏电流I
DD
(A)
6
5
4
3
2
1
0
输出功率和漏电流
与栅极电压
14
输出功率P
OUT
(W)
12
10
8
6
4
2
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
栅极电压V
GG
(V)
4
I
DD
f=520MHz,
V
DD
=12.5V,
P
in
=20mW
P
OUT
7
漏电流I
DD
(A)
6
5
4
3
2
1
0
RA07H4452M
2010年6月28日
4/9
