ST3401SRG
P沟道增强型MOSFET
-4.0A
电气特性
（ TA = 25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅压漏
当前
符号
条件
民
TYP MAX
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
=0V,I
D
=-250uA
V
DS
=V
GS
,I
D
=-250uA
V
DS
=0V,V
GS
=
±
12V
V
DS
=-24V,V
GS
=0V
-30
-0.4
-1.0
±
100
-1
-10
55
62
90
V
V
nA
I
DSS
V
DS
=-24V,V
GS
=0V
T
J
=55
℃
V
GS
=-10V,I
D
=-4.0A
V
GS
=-4.5V,I
D
=-3.2A
V
GS
=-2.5V,I
D
=-1.2A
V
DS
=-5V,I
D
=-4.0V
I
S
=-1.0A,V
GS
=0V
uA
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输
电容
开启时间
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
61
70
98
m
Ω
S
10
-1.2
V
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
tr
V
DS
=-15V
V
GS
=-10V
I
D
≡
-4.0A
V
DS
=-15V
V
GS
=0V
F=1MH
z
V
DS
=-15V
V
GS
=-15V
I
D
=-1A
R
L
=6
Ω
R
G
=-10
Ω
14
1.9
3.7
540
131
105
10
15
31
20
21
nC
pF
15
25
50
30
nS
打开-O FF时间
t
D（关闭）
tf
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STP3401SRG 2009 V1
