ST3401SRG
P沟道增强型MOSFET
-4.0A
描述
ST3401RSG是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
这是使用高密度的DMOS沟道技术生产。这种高密度
过程特别是针对减少通态电阻。这些设备是
特别适用于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本
计算机的电源管理，其它电池供电的电路，并且低线的功率
需要损失。该产品是在一个非常小的轮廓表面贴装封装。
引脚配置
SOT-23
特征
-30V/-4.0A,
R
DS （ ON）
= 55米（典型值）。
@V
GS
= -10V
-30V / -3.2A ，R
DS （ ON）
= 62m
@V
GS
= -4.5V
-30V / -1.2A ，R
DS （ ON）
= 90m
@V
GS
= -2.5V
超高密度电池设计
非常低R
DS （ ON）
出色的导通电阻和
最大直流电流能力
SOT- 23封装设计
3
D
G
1
1.Gate
2.Source
S
2
3.Drain
最热
SOT-23
3
A1YA
1
Y：年份代码
2
答：处理代码
STANSON科技
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http://www.stansontech.com
STP3401SRG 2009 V1
