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ST3401SRG
P沟道增强型MOSFET
-4.0A
描述
ST3401RSG是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
这是使用高密度的DMOS沟道技术生产。这种高密度
过程特别是针对减少通态电阻。这些设备是
特别适用于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本
计算机的电源管理，其它电池供电的电路，并且低线的功率
需要损失。该产品是在一个非常小的轮廓表面贴装封装。
引脚配置
SOT-23
特征
-30V/-4.0A,
R
DS （ ON）
= 55米（典型值）。
@V
GS
= -10V
-30V / -3.2A ，R
DS （ ON）
= 62m
@V
GS
= -4.5V
-30V / -1.2A ，R
DS （ ON）
= 90m
@V
GS
= -2.5V
超高密度电池设计
非常低R
DS （ ON）
出色的导通电阻和
最大直流电流能力
SOT- 23封装设计
3
D
G
1
1.Gate
2.Source
S
2
3.Drain
最热
SOT-23
3
A1YA
1
Y：年份代码
2
答：处理代码
STANSON科技
120宾利广场，加州山景城94040 USA
http://www.stansontech.com
STP3401SRG 2009 V1
ST3401SRG
P沟道增强型MOSFET
-4.0A
ABSOULTE最大额定值
（ TA = 25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏CurrentTJ = 150
℃
)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻，结到环境
T
A
=25℃
T
A
=70
℃
T
A
=25℃
T
A
=70
℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
-30
±
12
-4.0
-3.2
-15
-1.0
1.20
0.8
150
-55/150
120
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
℃
/W
STANSON科技
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STP3401SRG 2009 V1
ST3401SRG
P沟道增强型MOSFET
-4.0A
电气特性
（ TA = 25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅压漏
当前
符号
条件
民
TYP MAX
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
=0V,I
D
=-250uA
V
DS
=V
GS
,I
D
=-250uA
V
DS
=0V,V
GS
=
±
12V
V
DS
=-24V,V
GS
=0V
-30
-0.4
-1.0
±
100
-1
-10
55
62
90
V
V
nA
I
DSS
V
DS
=-24V,V
GS
=0V
T
J
=55
℃
V
GS
=-10V,I
D
=-4.0A
V
GS
=-4.5V,I
D
=-3.2A
V
GS
=-2.5V,I
D
=-1.2A
V
DS
=-5V,I
D
=-4.0V
I
S
=-1.0A,V
GS
=0V
uA
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输
电容
开启时间
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
61
70
98
m
Ω
S
10
-1.2
V
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
tr
V
DS
=-15V
V
GS
=-10V
I
D
≡
-4.0A
V
DS
=-15V
V
GS
=0V
F=1MH
z
V
DS
=-15V
V
GS
=-15V
I
D
=-1A
R
L
=6
Ω
R
G
=-10
Ω
14
1.9
3.7
540
131
105
10
15
31
20
21
nC
pF
15
25
50
30
nS
打开-O FF时间
t
D（关闭）
tf
STANSON科技
120宾利广场，加州山景城94040 USA
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STP3401SRG 2009 V1
ST3401SRG
P沟道增强型MOSFET
-4.0A
典型CHARACTERICTICS
(25
℃
除非另有说明）
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STP3401SRG 2009 V1
ST3401SRG
P沟道增强型MOSFET
-4.0A
典型CHARACTERICTICS
(25
℃
除非另有说明）
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STP3401SRG 2009 V1
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