288MB ： X36 ， X18 ， X9 2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
， HSTL ， RLDRAM II
电气特性
7.如果刘健位A8为0 ，使用RQ = 250Ω公式中代替外部阻抗的存在
ANCE匹配电阻。
8. V
REF
预计相当于V
DD
Q的传送设备/ 2和跟踪中的变化
的相同的DC电平。峰峰值噪声（非普通模式） V
REF
不得超过
± DC值的2％。因而，从V
DD
Q / 2 ，V
REF
是允许的±2 ％的V
DD
Q / 2为直流误差和
附加±2 ％的V
DD
Q / 2的交流噪声。该测定是将要采取在最接近V
REF
旁路电容。
9. V
TT
预计将被设定等于V
REF
并且必须跟踪变化为V的DC电平
REF
.
10.片上终端可以使用模式寄存器位9 （见图8第18页）中选择。一
电阻R
TT
从每一个数据输入信号为最接近V
TT
可以启用。
TT
= 150Ω
（±10 ％），在70℃ （C T）
C
.
11. V
OL
和V
OH
，请参考RLDRMA二的HSpice或IBIS驾驶者模型。
表23：
AC电气特性和操作条件
+0°C
≤
Tc
≤
+ 95°C ; + 1.7V
≤
V
DD
≤
+ 1.9V ，除非另有说明
描述
条件
匹配阻抗模式
匹配阻抗模式
符号
V
IH
V
IL
民
V
REF
+ 0.2
V
SS
Q - 0.3
最大
V
DD
Q + 0.3
V
REF
- 0.2
单位
V
V
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
表24 ：
电容
描述
条件
T
A
= 25°C ; F = 1 MHz的
符号
C
I
C
O
C
CK
民
1.5
3.5
2.0
最大
2.5
5.0
3.0
单位
pF
pF
pF
地址/控制输入电容
I / O电容（ DQ ， DM ， QK ）
时钟电容
图39：
输出测试条件
V
TT
50Ω
DQ
测试点
10pF
图40：
输入波形
V
DD
Q
V
IH
(
AC
）分
V
摇摆
V
IL
(
AC
）最大
GND
上升时间：
2 V / ns的
下降时间：
2 V / ns的
PDF ： 09005aef80a41b46 /来源： 09005aef809f284b
MT49H8M36_2.fm - 牧师 8/05 EN
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