288MB ： X36 ， X18 ， X9 2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
， HSTL ， RLDRAM II
电气特性
注：1。我
DD
规格测试后，该设备PROP erly初始化。 + 0 ℃，
≤
Tc
≤
+95°C;
+1.7V
≤
V
DD
≤
+1.9V, +2.38V
≤
V
EXT
≤
+2.63V, +1.4V
≤
V
DD
Q
≤
+1.6V, V
REF
= V
DD
Q/2.
t
CK -
t
DK = MIN ，
t
RC = MIN 。
2.
3.输入转换率在表中指定22 ， DC电气特性和操作条件
系统蒸发散，第44页。
4.定义，因为我
DD
条件：
一。 LOW定义为V
IN
≤
V
IL
(
AC
）最大。
B 。高被定义为V
IN
≤
V
IH
(
AC
）最大。
。稳定是指维持在高或低电平输入。
。浮动被定义为输入在V
REF
= V
DD
Q/2.
。连续数据定义为半DQ信号高低不同的变化
每半个时钟周期（每两次时钟） 。
F。连续的地址被定义为一半的地址信号和高电平之间变化的
LOW每个时钟周期（每一次时钟） 。
克。顺序存储体访问被定义为存储体地址由一个曾经递增
t
RC 。
小时。环状银行存取被定义为存储体地址由一个用于每个的COM递增
命令访问。对于BL = 4 ，这是所有其他时钟。
5. CS ＃为高电平，除非读取，写入， AREF ，或MRS命令注册。 CS ＃从未晶体管
系统蒸发散多塔每时钟周期一次。
6. I
DD
参数指定了ODT禁用。
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MT49H8M36_2.fm - 牧师 8/05 EN
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