飞利浦半导体
BUK9728-55A
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
100
ID
(A)
80
03ne20
6
VGS
(V)
5
VDD = 14 V
03na83
60
4
3
40
2
20
TJ = 150摄氏度
0
0
2
4
VGS （ V）
6
TJ = 25℃
1
VDD = 44 V
0
0
10
20
QG （ NC ）
30
V
DS
= 25 V
T
j
= 25
°C;
I
D
= 15 A
图13.传输特性：漏极电流为
栅极 - 源极电压的函数;典型值。
100
IS
(A)
80
图14栅极 - 源极电压作为栅极的功能
充电;典型值。
03ne21
TJ = 150摄氏度
60
40
TJ = 25℃
20
0
0.0
0.5
1.0
VSD （V）的
1.5
V
GS
= 0 V
图15.来源（二极管的正向）电流源极 - 漏极（二极管的正向）的电压的函数;典型值。
9397 750 13326
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产品数据
牧师02 - 2004年6月10日
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