飞利浦半导体
BUK9728-55A
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
120
PDER
(%)
100
03ne36
120
伊德尔
(%)
03ne37
100
80
80
60
60
40
40
20
20
0
0
25
50
75
100
125
150 175
TMB （℃ ）
0
0
25
50
75
100
125
150 175
o
TMB （ C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
5 V
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
03ne06
102
导通电阻= VDS / ID
TP = 10我们
100美
10
1毫秒
P
δ
=
tp
特区
T
10毫秒
100毫秒
1
tp
t
T
10-1
1
10
VDS （ V）
102
T
AMB
= 25
°C;
I
DM
是单一脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
9397 750 13326
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产品数据
牧师02 - 2004年6月10日
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