位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第844页 > SPC5534MVZ80 > SPC5534MVZ80 PDF资料 > SPC5534MVZ80 PDF资料1第58页
修订历史为MPC5534数据表
表30.表和图之间的版本3.0和4.0的变化（续）
位置
表25
eMIOS时间：
删除（ MTS） ，从标题，表，脚注。
注1 ：更改'V
DDEh
= 3.0-5.5 ; '到'V
DDEh
= 3.0–5.25;’
注1 ：已删除'F
SYS
= 80兆赫，' V
DD
= 1.35–1.65 V’, ‘V
DD33
和V
DDSYN
= 3.0-3.6 V'和
“和CL = 200 pF的与SRC = 0b11 。 ”
添加脚注2 ：“本规范不包括上升和下降时间。当计算最小
eMIOS脉冲宽度，包括上升和下降在垫的压摆率控制字段（ SRC ）规定的时间
配置寄存器（PCR） “ 。
图17中的
eMIOS时间：新增人物。
表26 ，
DSPI时间：
表标题：加脚注，上面写着：速度标称最高频率。最大速度为最大
速度允许包括频率调制（FM） 。 42 MHz的部分允许40MHz的系统时钟+ 2 ％ FM ;
68 MHz的部分允许66MHz的系统时钟+ 2 ％ FM和82 MHz的部分允许80MHz的系统时钟+ 2 ％ FM 。
SPEC1 ： SCK
周期时间：
变化值： 40兆赫，分钟。 = 48.8纳秒，上限= 5.8毫秒; 66兆赫，分。 = 28.4纳秒，
最大= 3.5毫秒; 80兆赫分钟。 = 24.4纳秒，上限= 2.9毫秒。
规格2 ：
PCS到SCK延迟：
40兆赫，分。 = 46纳秒; 66兆赫，分。 = 26纳秒; 80兆赫分钟。 = 22纳秒。
规格3 ：
后SCK延迟：
40兆赫，分。 = 45纳秒; 66兆赫，分。 = 25纳秒; 80兆赫分钟。 = 21纳秒。
9规格：
数据建立时间的投入，硕士（ MTFE = 1 ， CPHA = 0 ） ：
66兆赫，分。 = 6纳秒; 80兆赫分钟。 = 8纳秒。
规格10 ：
数据保持时间的投入，硕士（ MTFE = 1 ， CPHA = 0 ） ：
40兆赫，分。 = 45纳秒; 66兆赫，分。 = 25纳秒;
80兆赫分钟。 = 21纳秒。
规格11 ：
数据有效（在SCK的上升沿），硕士（ MTFE = 1 ， CPHA = 0 ） ：
40兆赫，最大值= 45纳秒;
66兆赫，最大值= 25纳秒; 80 MHz的最大值。 = 21纳秒。
注1 ：更改'V
DDEh
= 3.0-5.5 ; '到'V
DDEh
= 3.0–5.25;’
注1 ：添加了脚注1 “所有DSPI时序规范用最快的转换速率开始（ SRC =
0b11 ）上垫类型M或MH 。使用S或SH的垫类型DSPI信号已根据所述压摆的额外延迟
率。 “
注1 ：已删除'V
DD
= 1.35-1.65 V'和'V
DD33
和V
DDSYN
= 3.0–3.6 V.
表27 ，
EQADC SSI时序特性：
注1 ：更改'V
DDEh
= 3.0-5.5 ; '到'V
DDEh
= 3.0–5.25;’
从表中标题' （垫在3.3 V或5.0 V ） “中删除
删除了所有产出表' CLOAD = 25 pF的第一线。键盘驱动强度设置为最大。 “
规格1 ： FCK频率 - 去除。
结合脚注1和2 ，以及提出的新注脚规格2.搬迁老脚注3 ，现在是
脚注2规格2 。
脚注1 ，删除“V
DD
= 1.35-1.65 V'和'V
DD33
和V
DDSYN
= 3.0–3.6V.’
改变“ CL = 50 pF的”到“ CL = 25 pF的。 ”
注2 ：添加“周期”后， “责任”改为： FCK占空比是不是当了50％。 。 。 。
图28中，
MPC5534 208套餐和
图29
MPC5534 324套餐：删除了版本号和日期。
图30中的
MPC5534 208封装尺寸和
图31
MPC5534 324封装尺寸：
删除的版本号和日期。
更改说明
MPC5534单片机数据手册，第6
58
飞思卡尔半导体公司
