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128MB， 256MB，512MB ，1GB的StrataFlash存储器
方案业务
表22 ： BEFP要求和注意事项
BEFP要求
温度（T
例
）必须为25℃ ±5 ℃下
VCC上的电压必须在允许的操作范围内
上VPP电压必须在允许的操作范围内
块被编程，必须擦除和解锁
BEFP注意事项
低于100次擦写循环座
从在EFP （ RWW ）另一个分区读取，不允许
一次在一个块中BEFP方案
BEFP不能悬空
BEFP安装阶段
发出BEFP设置并确认命令序列启动BEFP算法。
寻址分区的读取模式将自动更改为读状态寄存器
器模式。
发出SETUP并确认命令时使用的地址必须buffer-
大小的块内的对齐被编程;缓冲区的内容不能跨块
边界。
注意：
读状态寄存器命令不得发出;它将被解释
如将数据写入到写缓存器。
一个设置延迟（
t
BEFP /设置）时发生的内部算法检查V
PP
与块
锁定状态。如果检测到错误，则相应的状态寄存器的错误位被设置，并
操作中止。
状态寄存器应查询成功BEFP设置，由SR [ 7 ： 0 ] = 0指示
（设备忙，缓冲准备数据） 。
BEFP编程/校验阶段
数据首先被写入到写入缓冲器，然后编程到阵列中。在
缓冲区填充序列，用一定的缓冲区大小对齐的地址。使用任何其它AD-
礼服会导致操作中止与程序失败，错误，和以前的任何数据
在缓冲器中加载不会被编程到阵列中。
缓冲区填充数据存储在起始地址为00H连续缓冲区的位置。一
字计数等于最大缓冲容量被使用;因此，缓冲器必须是
完全充满。如果数据的量是小于的最大缓冲区的大小时，再
maining缓存位置必须与FFFFh时被填充完全填充缓冲区。
阵列编程，一旦写缓冲区是满启动。从写数据字
缓冲器被编程到顺次阵列的位置。 SR0 = 1表示写入缓冲器消耗
FER不可用而BEFP算法程序的数组。
状态寄存器应查询的SR0 = 0 （缓冲准备好数据）来确定
当阵列的编程已经完成，并写入缓冲器可以再次
装载。内部地址自动递增，以便后续的阵列
节目从在先前的缓冲区填充/阵列编程顺序继续
块内结束。这种循环可以重复编程整个块。
BEFP退出阶段
退出程序/验证阶段，写FFFFh到一个地址块外。
PDF ： 09005aef8448483a
128_256_512_65nm_g18.pdf - 牧师F 8/11 EN
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