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128MB， 256MB，512MB ，1GB的StrataFlash存储器
方案业务
缓冲编程
同时缓冲编程程序的多个单词到内存AR-
射线。数据首先被写入到一个编程的缓冲区，然后编程到阵列
在缓冲器大小的增量，显著降低有效字编程时间。
最佳的性能和功耗只对准起点实现
处理到阵列内的缓冲大小的界限。穿越缓冲区大小的边界
能引起缓冲编程时间加倍。
缓冲的程序操作包括以下固定的，预定义的SE-的
总线写周期quence ： 1 ）发出的SETUP命令; 2 ）发出一个字计数; 3 ）
填充用户数据的缓冲器; 4）发出的确认指令。一旦安装
命令已发出一个地址，随后总线写周期必须使用AD-
整个操作在同一区块内的衣服;否则，操作将
中止。总线读周期被允许在任何时候，在任何地址。
注意：
V
PP
必须是在V
PPL
或V
PPH
在整个缓冲的程序操作。
当编程完成时，状态寄存器指示就绪（ SR7 = 1），并且任何
有效命令可以被发出。一个完整的状态寄存器检查应进行
检查是否有程序错误。如果任何错误位被设置时，状态寄存器应
使用清除状态寄存器命令清除。
随后BUFFERED程序操作可以通过发出另一个启动SET-
UP指令和重复所述缓冲的编程序列。在台站的任何错误
土族寄存器由前一个操作应该先清除，以防止屏蔽
随后BUFFERED程序运行过程中可能出现的错误。
阵列编程过程中发出来的忙碌分区有效的命令是读AR-
RAY ， READ ID ， READ CFI ，读状态寄存器，程序挂起。
发出读阵列，读取ID ，或READ CFI命令来分区是积极
程序会导致后续从该分区输出无效数据读取。有效
数据输出的程序操作完成之后。
缓冲增强工厂编程
缓冲增强工厂编程（ BEFP ）提高编程性能
通过使用写缓冲区，升高的编程电压（Ⅴ
PPH
）和使
hanced规划算法。用户数据被写入到写入缓冲器，然后将
缓冲区的内容会被自动写入到缓冲区大小递增的数组。
编程（固有的MLC技术）和稳压状态时内部核查
存器错误检查来确定正确的完成课程的操作
化。这消除单字PRO-之间切换时发生延迟
GRAM和VERIFY操作。
BEFP包括下列三个不同的阶段：
1.安装阶段： V
PPH
和块锁检查
2.编程/校验阶段：缓存进行编程和验证
3.退出阶段：块错误检查
BEFP中都支持控制模式和对象模式。编程模式SE-
经文为整个阵列块由信息的特定类型驱动，如
头或对象的数据。报头/数据对象的是， 1KB的编程区域对准
边界在主阵列块。
PDF ： 09005aef8448483a
128_256_512_65nm_g18.pdf - 牧师F 8/11 EN
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