128MB， 256MB，512MB ，1GB的StrataFlash存储器

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版本的F - 8/11

从Device ID码表删除（ 45纳米， 65纳米，岩性） 。

改变球H2和H6从V

SS

到V

SSQ

在图2中。

从A [MAX ： 16 ]修正A / D MUX符号：在信号说明，以A [ 17 MAX]

表。

增加了地址映射为地址/数据复用模式表。

更新了读取配置寄存器位定义表。

英文内容 - 8/11

CFI ID字符串表，十六进制偏移13H ：更改地址， 13进制代码为00 ; AD-改变

穿着14进制代码为02 。

表：直流电压特性和工作条件：变更V

IL

最大为0.45 ;

改变了V

IH

分钟到V

CCQ

- 0.45.

Rev. D的 - 5/11

修正了重用。

版本C - 2/11

增加了AAD -MUX描述。

版本B - 12/10

杂项制造文字编辑和格式的改进。

版本A - 12/10

初始版本。

8000 S. Federal Way的， P.O.专栏6 ，博伊西， ID 83707-0006 ，电话： 208-368-3900

www.micron.com/productsupport客户评论热线： 800-932-4992

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本数据手册包含了电源和温度范围内这里阐述规定最低和最高限额。

虽然最终的考虑，这些规格如有变更，进一步的产品开发和数据表征某处

次发生。

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128_256_512_65nm_g18.pdf - 牧师F 8/11 EN

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