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2Gb_DDR3_SDRAM.pdf - 修订版Q 04/13 EN
图114 ：同步ODT （ BC4 ）
T0
CK ＃
CK
CKE
命令
NOP
NOP
NOP
NOP
ODTH4
NOP
NOP
NOP
WRS4
NOP
ODTH4 （MIN）
ODTH4
ODT
ODTLoff = WL - 2
ODTLon = WL - 2
t
AON
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
T11
T12
T13
T14
T15
T16
T17
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
ODTLoff = WL - 2
ODTLon = WL - 2
（分钟）
R
TT ， NOM
t
AON
t
AOF
（分钟）
t
AON
t
AOF
t
AON
（最大）
R
TT ， NOM
t
AOF
（分钟）
（最大）
R
TT
（最大）
（分钟）
t
AOF
（最大）
过渡
不在乎
注意事项：
1.
2.
3.
4.
WL = 7
TT ， NOM
被使能。
TT （WR）
被禁用。
ODT必须至少ODTH4后断言（ T1）保持高电平。
ODT必须保持高ODTH4 （ BC4 ）或ODTH8 （ BL8 ）写命令（ T7 ）之后。
ODTH从ODT测量首次注册HIGH到ODT先注册LOW或从该登记
与ODT高写入命令ODT注册LOW 。
5.虽然ODTH4满意的ODT在T6注册HIGH ， T11之前ODT不能去低ODTH4绝
也可以从在T7启动WRITE命令的登记满意。
200
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2GB ： X4，X8 ， X16 DDR3 SDRAM
同步ODT模式
