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2Gb_DDR3_SDRAM.pdf - 修订版Q 04/13 EN
表90 ：同步ODT参数
符号
ODTLon
ODTLoff
ODTH4
ODTH8
t
AON
描述
ODT同步导通延迟
ODT同步关断延时
ODT后ODT最小高电平时间
断言或WRITE （ BC4 ）
开始于
ODT注册HIGH
ODT注册HIGH
ODT注册HIGH或写寄存器
tration与ODT高
德网络定义为
R
TT （ON）的
±
t
AON
R
TT （OFF）的
±
t
AOF
ODT注册LOW
ODT注册LOW
R
TT （ON）的
R
TT （OFF）的
对于所有的定义
DDR3高速箱
CWL + AL - 2
CWL + AL - 2
4
t
CK
6
t
CK
请参阅表56
（页76 ）
0.5
t
CK ± 0.2
t
CK
单位
t
CK
t
CK
t
CK
写写登记ODT高后ODT最小高电平时间
(BL8)
ODT开启相对ODTLon
竣工
ODT关断相ODTLoff
竣工
ODTLon完成
ODTLoff完成
t
CK
ps
t
CK
t
AOF
图113 ：同步ODT
T0
CK ＃
CK
CKE
AL = 3
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2006年美光科技公司保留所有权利。
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
T11
T12
T13
T14
T15
199
AL = 3
CWL - 2
ODT
ODTH4 （MIN）
ODTLoff = CWL + AL - 2
2GB ： X4，X8 ， X16 DDR3 SDRAM
同步ODT模式
ODTLon = CWL + AL - 2
t
AON
（分钟）
R
TT ， NOM
（最大）
过渡
t
AOF （ MIN ）
t
AOF
R
TT
t
AON
（最大）
不在乎
注意：
1. AL = 3; CWL = 5 ; ODTLon = WL = 6.0 ; ODTLoff = WL - 2 = 6
TT ， NOM
被使能。
