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2GB ： X4，X8 ， X16 DDR3 SDRAM
同步ODT模式
同步ODT模式
同步的ODT模式被选择时该DLL被接通并锁定和
当R
TT ， NOM
或R
TT （WR）
被使能。基于所述掉电的定义，这些
模式是：
任何银行主动与CKE高
与CKE高刷新模式
空闲模式下并且CKE高
主动掉电模式（不管MR0 [12] ）
如果DLL是由MR0 [ 12 ]在预充电加电启动预充电掉电模式
下
ODT延迟和发布ODT
在同步模式下的ODT ，R
TT
打开ODTLon时钟周期ODT进行采样后，
ODT后一个时钟上升沿HIGH ，并关闭ODTLoff时钟周期被注册
LOW一个时钟上升沿。实际的开/关时间变化由
t
AON和
t
AOF左右
每个时钟边沿（见表90 （第199页） ） 。该ODT潜伏期是联系在一起的写入延迟
（ WL ）由ODTLon = WL - 2和ODTLoff = WL - 2 。
由于写入延迟是由中科院写入延迟（ CWL ）和附加延迟（ AL ）
美联编程到模式寄存器（ MR1 [4 ， 3]）也适用于所述ODT信号。
设备的内部的ODT信号被延迟了AL定义一个时钟周期数
相对于外部的ODT信号。因此， ODTLon = CWL + AL - 2和ODTLoff = CWL +
AL - 2 。
时序参数
同步ODT模式使用以下定时参数： ODTLon ， ODTLoff ，
ODTH4 ， ODTH8 ，
t
AON和
t
AOF 。最低
TT
开启时间（
t
AON [ MIN ] ）是
点的设备离开高Z和ODT电阻将开始导通，在这。马克西 -
妈妈
TT
开启时间（
t
AON [MAX] ）是在哪个点ODT电阻是完全的。
这两种测量相对于ODTLon 。最低
TT
关断时间（
t
AOF [ MIN ] ）是
在该点的设备开始关闭的ODT电阻。的最大R
TT
转
关闭时间（
t
AOF [MAX] ）是在ODT已达到高阻抗点。这两种测量
从ODTLoff 。
当ODT是断言，它必须保持高电平，直到ODTH4满意。如果一个写的COM
命令通过与ODT HIGH的DRAM注册，那么ODT必须保持高电平，直到
ODTH4 （ BC4 ）或ODTH8 （ BL8 ）写命令后（见图114 （第200页） ） 。
ODTH4和ODTH8从ODT测量登记HIGH到ODT注册LOW
还是一个写命令，直到ODT的登记注册LOW 。
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