
2GB : X4,X8 , X16 DDR3 SDRAM
功能方框图
功能方框图
DDR3 SDRAM是一个高速的CMOS动态随机存取存储器。这是内部
配置为8 -银行的DRAM 。
图3 : 512梅格×4功能框图
ODT
ZQ
RZQ
RESET#
CKE
V
SSQ
A12
ODT
控制
ZQ CAL
ZQCL , ZQCS
控制
逻辑
BC4 (突发印章)
到上拉/下拉
网
CK , CK #
CS #
命令
解码
RAS #
CAS #
WE#
V
DDQ
/2
7银行
6银行
5银行
4银行
3银行
2银行
银行1
32
列0,1,和2个
R
TT , NOM
R
TT (WR)
OTF
模式寄存器
18
刷新
计数器
7银行
6银行
5银行
4银行
3银行
2银行
银行1
行向
地址
MUX
15
BANK 0
行向
地址
32,768
LATCH
和
解码器
CK , CK #
SW1
DLL
SW2
(1 . . . 4)
读
FIFO
和
数据
MUX
4
读
DRIVERS
15
BANK 0
内存
ARRAY
(32,768 x 256 x 32)
DQ [3:0 ]
DQS , DQS #
DQ [3:0 ]
15
感测放大器
32
8,192
BC4
OTF
SW1
BC4
V
DDQ
/2
R
TT , NOM
R
TT (WR)
SW2
3
A[14:0]
BA [ 2 :0]的
地址
注册
银行
控制
逻辑
I / O选通
DM面膜逻辑
DM
(1, 2)
DQS , DQS #
18
3
256
(x32)
V
DDQ
/2
32
数据
接口
4
数据
COLUMN
解码器
柱分离
地址
计数器/
LATCH
8
3
列0,1,和2个
CK , CK #
写
DRIVERS
和
输入
逻辑
R
TT , NOM
SW1
R
TT (WR)
SW2
11
DM
第2列
(选择上或
对于BC4低四位)
PDF : 09005aef826aaadc
2Gb_DDR3_SDRAM.pdf - 修订版Q 04/13 EN
14
美光科技公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
2006年美光科技公司保留所有权利。