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2GB ： X4，X8 ， X16 DDR3 SDRAM
功能说明
功能说明
DDR3 SDRAM采用双数据速率的体系结构来实现高速操作。
双倍数据速率的架构是一个8N-预取架构与接口DE-
签转每时钟周期两个数据字的I / O引脚。一个单一的读或写
操作的DDR3 SDRAM有效地由一个单一的8n个位宽，四顺时针的
在内部DRAM芯8对应的周期的数据传输和
正位宽，
单
半个时钟周期数据传输的I / O引脚。
差分数据选通（DQS ， DQS ＃ ）被外部发送，与数据一起，对
在DDR3 SDRAM输入接收器的数据采集使用。 DQS是中心对齐数据
对于写操作。所读取的数据由DDR3 SDRAM发送和边沿对齐的
数据选通信号。
在DDR3 SDRAM工作在差分时钟（ CK和CK ＃ ） 。 CK的交叉
要HIGH和CK ＃变低被称为CK的上升沿。控制的COM
命令和地址信号被登记在CK的每个上升沿。输入数据是稳压
istered关于DQS的写前导码之后的第一个上升沿，并且输出数据是REF-
所引用，在DQS的读序言后的第一个上升沿。
读取和写入访问的DDR3 SDRAM被爆为主导。访问开始在一个SE-
lected位置和持续的地点在编程设定的号码
序列。访问开始时的ACTIVATE命令的登记，然后将其
其次是读或写命令。地址位注册重合
激活命令用于选择和行进行访问。这种吸附
连衣裙位注册暗合了读或写命令用于选择
银行和突发访问的起始列位置。
该设备采用读取和写入BL8和BC4 。自动预充电功能可以是
使能，以提供一个自定时行预充电的脉冲串的端部被启动，它将
访问。
与标准的DDR SDRAM ， DDR3 SDRAM的流水线，多组结构
允许并发操作，从而通过隐藏行提供高带宽预
充电及激活时间。
自刷新模式设置，以及节电，省电模式。
工业温度
工业温度（ IT）设备要求外壳温度不超过
-40 ℃或95 ℃。 JEDEC规范要求的刷新率当T翻番
C
超过
85°C ;这也需要使用高温自刷新选项。另外，
ODT电阻和输入/输出阻抗必须降低当T
C
为< 0 ℃或
>95°C.
一般注意事项
该功能，并在此数据表中所讨论的时序规格为
DLL使能的操作（正常工作）模式。
在整个数据表，各种数字和文字指的DQ为“ DQ ” DQ是要
解释为任何和所有的DQ的统称，除非另外特别说明。
在本数据手册中找到的术语“ DQS ”和“CK”都应当被解释为
DQS ，分别DQS ＃和CK，CK ＃ ，除非特别说明，否则。
PDF ： 09005aef826aaadc
2Gb_DDR3_SDRAM.pdf - 修订版Q 04/13 EN
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