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LM3151 ， LM3152 ， LM3153
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SNVS562G - 2008年9月 - 修订2011年3月
材料清单
代号
C
BST
C
BYP
C
EN
C
IN1
C
IN2
, C
IN3
C
OUT1
, C
OUT2
C
SS
C
VCC
L1
M1, M2
U1
价值
0.47 F
0.1 F
1000 pF的
100 F
10 F
150 F
0.068 F
1 F
1.65 H
30V
参数
陶瓷， X7R ， 16V ， 10 ％
陶瓷， X7R ， 50V ， 10 ％
陶瓷， X7R ， 50V ， 10 ％
AL， EEV -FK ， 63V ，20％
陶瓷， X5R ， 35V ， 10 ％
AL UE， 6.3V ，20％
陶瓷， 16V ， 10 ％
陶瓷， X7R ， 16V ， 10 ％
屏蔽鼓核， A， 2.53毫欧
8 NC ，R
DS （ ON）
@ 4.5V = 10毫欧
基美
Coilcraft公司公司
瑞萨
德州仪器
生产厂家
TDK
TDK
TDK
松下
太阳诱电
松下
产品型号
C2012X7R1C474K
C2012X7R1H104K
C1608X7R1H102K
EEV-FK1J101P
GMK325BJ106KN-T
EEF-UE0J151R
0603YC683KAT2A
C0805C105K4RACTU
HA3778-AL
RJK0305DB
LM3152MH-3.3
PCB布线注意事项
优良作法是首先布局功率元件，如输入和输出电容， FET和
电感器。首要任务是使和输入电容之间的循环，低侧FET的源
是非常小的，并通过通孔配合的每个直接的理由对方，然后到接地平面。如
如下图所示，当输入电容接地直接连接到低压侧FET的源显示，寄生
电感中的功率路径，随着噪声耦合到所述接地平面，被减少。
该交换节点是很重要的下一个项目。根据需要，开关节点应仅作为大
处理负载的电流。还有在高频中的交换节点发生快速电压转变，并且如果
开关节点做得太大它可以充当一个天线和一对开关噪声进入的其它部分
电路。对于高功率设计中，建议使用的多层基板。 FET的将要在
在设计中最大的热产生设备，因此，应当小心以除去热量。多
采用带裸焊盘封装的FET的如电源-PAK层板SO- 8 ，过孔应下使用
在FET上的内部层的同一平面上，以帮助散热和冷却该场效应管。为典型的
单FET电白型FET的高侧FET的DAP为Vin 。在VIN飞机应该被复制到其他
内层到底层为最大的散热。同样，低边FET的DAP是
连接到SW节点和它的形状应该被复制到内部层向下至底部层为
最大的热耗散。
请参阅评估板应用笔记AN- 1900 （文献编号（ SNVA371 ）为典型的一个例子
多层电路板布局，以及演示板参考设计应用笔记为典型的2层电路板
布局。每个设计允许单侧组件的安装。
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