LM3151 ， LM3152 ， LM3153
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SNVS562G - 2008年9月 - 修订2011年3月
最小输出电容为：
C
OMIN
= 70 / (f
S2
x长）
C
OMIN
= 70 / （ 500千赫
2
X 1.65 μH ） = 169 μF
最大ESR允许以防止过电压保护器在正常操作过程是：
ESR
最大
= （ 80 mV的x长） / ET
ESR
最大
= （ 80 mV的X 1.65 μH ） / 5.7 V微秒
ESR
最大
= 23 m
最小的ESR必须满足以下两个条件：
ESR
民
≥
（ 15毫伏x长） / ET
ESR
民
≥
[ ET / （V
IN
- V
OUT
)] / C
O
ESR
民
≥
（ 15 mV的X 1.65 μH ） / 5.7 V微秒= 4.3毫欧
ESR
民
≥
[ 5.7 V ？S / （ 12 - 3.3 ） ] / 169 μF = 3.9毫欧
根据以上标准， 2 150 μF聚合物铝电容器用ESR = 12 mΩ的每一个有效
ESR在6毫欧的并联松下之所以选择。该产品编号为EEF - UE0J151P 。
5. MOSFET选择
该LM3151 / 2/3用于驱动N沟道MOSFET 。对于24V的最大输入电压，我们应该
选择N沟道MOSFET与一个最大漏源电压V
DS
大于1.2× 24V = 28.8V 。场效应管
最大V
DS
30V的将是第一个选项。合并总栅极电荷Q
G总和
高侧和低的
侧FET应满足以下条件：
Q
G总和
≤
I
VCCL
/ f
s
Q
G总和
≤
65毫安/ 500千赫
Q
G总和
≤
130 n
(4)
(5)
哪里
I
VCCL
是VCC的最小电流极限以上的温度范围内，在指定的
电气特性
表
MOSFET的栅极电荷Q
g
从阅读的V云集
GS
VS Q
g
MOSFET数据表的曲线
V
GS
= 5V的高侧，M1的MOSFET和V
GS
= 6V时的低侧，M2的MOSFET 。
瑞萨MOSFET RJK0305DPB有10 NC中的栅极电荷在V
GS
= 5V ， 12 NC在V
GS
= 6V 。这
用于高侧中，M1组合栅极电荷和低侧，M2的MOSFET 12 NC + 10 NC = 22 NC小于130
NC计算Q
G总和
.
所计算出的MOSFET功耗必须小于最大允许的功率耗散， PDMAX ，如
在MOSFET数据表中指定。该FET功率的近似计算所消耗的高侧的钯，
边和低边FET由下式给出：
高边MOSFET
Pcond = I
OUT
x
R
DS （ ON）
x深
PSW =
8.5
6.8
1
+
X V
in
X我
OUT
X Q
gd
架F
s
x
VCC - Vth的Vth的
2
2
PDH = Pcond + PSW
Pcond = 12× 0.01× 0.275 = 0.396W
PSW =
8.5
6.8
1 ×12× 12× 1.5 NC ×500千赫X
+
= 0.278W
6
±
2.5 2.5
2
2
PDH = 0.396 + 0.278 = 0.674W
该RJK0305DPB的最大功耗为额定45W的结温度为125 ° C时
比的情况下的温度和从FET结的热敏电阻的情况下，
θ
JC
， 2.78 ° C / W 。
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