位置：首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第27页 > LM3151MHE-3.3/NOPB > LM3151MHE-3.3/NOPB PDF资料 > LM3151MHE-3.3/NOPB PDF资料1第15页
LM3151 ， LM3152 ， LM3153
www.ti.com
SNVS562G - 2008年9月 - 修订2011年3月
图14.典型MOSFET的栅极电荷曲线
请参见下面的估计功耗计算的设计实例。
6.计算输入电容
用于将输入电容器的主要参数是额定电压，它必须大于或等于所述
最大直流输入电压的电源，其均方根电流额定值。最大均方根电流
最大负载电流的50％左右。
C
IN
=
IOMAX ×深× （ 1 - D）
f
s
x
'V
IN -MAX
哪里
ΔV
IN -MAX
是允许的最大输入纹波电压
一个很好的起点，输入纹波电压为V 5％
IN
.
当在LM3151的输入采用低ESR的陶瓷电容器/ 2/3的谐振电路可以被形成
输入电源和长引线/ PCB走线的寄生阻抗的LM3151 / 2/3的阻抗
输入电容。它建议用在这些情况下，如铝的阻尼电容器
电解，以防止振荡的输入。阻尼电容器应该被选择为大约5
倍大于平行的陶瓷电容器的组合。总输入电容应大于
除电源导线/ PCB走线的10倍的输入电感。阻尼电容也应
选择以处理其份额的均方根输入电流是与并联阻抗成比例地共享的
所述陶瓷电容器和铝电解在LM3151 / 2/3的开关频率。
了C
BYP
电容应直接放置在VIN引脚。推荐值为0.1 μF 。
7.计算软启动电容
C
SS
=
I
SS
x深
SS
V
REF
哪里
t
SS
以秒为单位的软启动时间
V
REF
= 0.6V
8. C
VCC
和C
BST
和C
EN
C
VCC
应直接放置在VCC引脚1 μF的推荐值至2.2 μF 。对于输入电压
范围包括电压低于8V一个1μF电容必须使用对C
VCC
. C
BST
创建用于将电压
驱动高侧FET的栅极。在SW关断时间它充电。对C的推荐值
BST
is
0.47 μF 。恩旁路电容C
EN
，推荐值是1000 pF的驱动，从开放的EN引脚时，
漏信号的类型。
版权所有 2008-2011 ，德州仪器
提交文档反馈
15
产品文件夹链接：
LM3151 LM3152 LM3153
