TMP01
滞环电流很容易计算出来的。例如，对于
2度滞后的，我
VREF
= 17 μA 。接着，将设定值
电压，V
SETHIGH
和V
SETLOW
，使用的是VPTAT确定
5毫伏/ K的比例因子= 5毫伏/ （℃ + 273.15 ），其是1.49 V
为25 ℃。然后，计算出的分压电阻器，根据这些
设定值。用于计算电阻的公式
V
SETHIGH
= (T
SETHIGH
+ 273.15 ） （为5 mV / ° C）
V
SETLOW
= (T
SETLOW
+ 273.15 ） （为5 mV / ° C）
R1 （ kΩ的）
= (V
VREF
V
SETHIGH
)/I
VREF
= (2.5 V
V
SETHIGH
)/I
VREF
R2值（kΩ ）
= (V
SETHIGH
V
SETLOW
)/I
VREF
R3 （千欧）
=
V
SETLOW
/I
VREF
V
VREF
= 2.5V
(V
VREF
– V
SETHIGH
)/I
VREF
= R1
V
SETHIGH
(V
SETHIGH
– V
SETLOW
)/I
VREF
= R2
V
SETLOW
V
SETLOW
/I
VREF
= R3
00333-015
电阻分压比。比较器的输入偏置电流
（输入设置为高，置低）下降到小于1 nA的（典型值）
当比较器被触发。这可以解释一些
设定值电压误差，等于偏置电流时代的变迁
有效的设定分频梯形电阻接地。
的TMP01封装的热质量和程度
热耦合到周围的电路是最大的
因素在确定热沉降的速率，这
最终决定的速率所需的温度
测量精度可以达到。因此，留出足够的
时间的设备，以达到最终温度。典型的
热时间常数为塑料包装是大致
140秒在静止空气中。因此，要达到的最终温度
在1％以内的精度，为60度的温度变化，一个
沉降的5个时间常数，或12分钟的时间里，是必需的。
设定值比较器的输入偏移电压和零hyster-
ESIS电流设定值影响的错误。而7 μA零滞后
当前允许的TMP01具有中等编程的用户
电阻分压器的值，但它有些变化从装置到
设备，从而导致在实际滞后微小变化获得
在实践中。比较器的输入偏移直接影响亲
编程的设定点电压，从而将所得的滞后
波段，并且必须包括在误差计算。
外部误差源要考虑的是亲的准确性
编程电阻，接地误差电压，使整体
热梯度的问题。外部的精度
编程电阻直接影响所产生的设定值
准确度。因此，在固定温度下的应用程序中，用户
应选择适合于所期望的电阻容差
编程精度。电阻温度漂移必须
考虑到也。这种效果可通过最小化
选择好品质的元件，并保持所有的COM
ponents紧密热附近。要求高的应用
测量精度要求非常注意细节
关于热梯度。精心的电路板布局，
元件贴装，以及杂散气流保护
是要尽量减少常见的热误差源。
此外，用户应小心，以保持设定的底
点规划分梯尽可能接近GND （引脚4）
以尽量减少由于IR压降和coup-错误
林志玲的外部噪声源。在任何情况下，一个0.1μF的电容
电源旁路始终建议在芯片上。
1
I
VREF
2
8 V+
7 OVER
TMP01
3
6下
GND
4
5 VPTAT
图15. TMP01设定点编程
总R1 + R2 + R3为等于所需的负载电阻
绘制从基准所需的滞环电流，或我
VREF
.
以上所示的公式，可以在有助于理解
温度设定点的计算电压的电路中的其他
比标准的双温恒温。如果设定值
功能是不需要的，相应的比较器应
禁用。置高可将其直接连接到V + ， SET被禁用
LOW通过其直接连接到GND 。任一输出可留
悬空。
218
K
–55
°C
–67
°F
1.09
VPTAT
1.24
1.365
1.49
1.615
1.74
1.865
1.99
00333-016
248
273
298
323
348
373
398
–25 –18
0
25
50
75
100
125
–25
0
32 50
77 100
150
200 212
257
图16.温VPTAT规模
了解误差源
该VPTAT传感器输出的精度好，其特征
并规定;然而，在加热保持这一精度或
冷却控制系统，需要一些注意减少
各种潜在的错误源。内部来源
设定编程错误包括初始容差和
参考电压VREF的温度漂移，设定值
比较器的输入偏移电压和偏置电流，并且
滞环电流比例因子。当评估设定
编程错误，请记住，任何VREF错误
在比较器输入端的贡献被减小由
在加热全注意事项以及
冷却系统设计
设计师应该预见潜在的系统故障情况下，
这可导致显著安全危害，这是外
及控制不能由TMP01基于被校正
电路。遵守政府和行业法规
有关安全规定和标准，这样的设计
在适用情况下。
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