TMP01
应用信息
自热效应
在一些应用中，用户应该考虑的影响
自加热由于由集电极开路的功率消耗
输出，能够不断地下沉20毫安的。
在满载情况下，所述TMP01集电极开路输出装置是
散热
P
DISS
= 0.6 V× .020A = 12毫瓦
这在一个表面贴装SOIC封装占了
温度上升，由于自加热的
ΔT =
P
DISS
× θ
JA
= 0.012宽× 158 ° C / W = 1.9 ℃，
这个自加热效应直接影响的精度
TMP01和将，例如，导致设备激活
在对输出年初2度。
粘接封装到一个适度的散热限制了自我
加热效果大致如下：
ΔT =
P
DISS
× θ
JC
= 0.012宽× 43 ° C / W = 0.52 ℃，
这是在大多数系统中更加容忍误差。该
VREF和VPTAT输出也能够提供的
足够的电流，以促进热效应和不应该
被忽略。
保准确度广角
工作温度范围
该TMP01是同时提供了广泛temper-独特
ATURE传感器和所需的相关检测电路
在实现一个完整的恒温控制功能
在一个单芯片。而电压基准，设定点
比较器和输出缓冲放大器已经仔细
补偿以保持精度在指定temper-
ATURE范围，用户在维持一个额外的任务
精度在很宽的工作温度在范围
应用程序。
由于TMP01是两个传感器和控制电路，在许多
应用它有可能用于将外部元件
程序和接口设备可以经受相同的
极端温度。因此，它可能需要定位
在靠近热感应元件，以尽量减少大
温度差，并以考虑温度漂移
错误，如电阻温度系数匹配，误差放大器漂移，
等中，在适当情况下。电路设计与TMP01
需要对热敏略微不同的角度
电子元件的行为。
热响应时间
所需的温度传感器的时间来解决一个试样
田间精度是传感器的热质量的函数，
并且传感器和物体之间的热导率
被检测。热物质通常被认为是等效于
电容。
使用常用符号指定的导热系数
Q，并且可以被看作是热电阻的倒数。
它在每瓦功率的单位度一般规定
在整个传输的热联合。因此，所需要的时间
对TMP01沉降到期望的精确度取决于
所选择的包，所述热接触建立在该
特定的应用程序，并在热的等效功率
源。在大多数应用中，建立时间可能是最好的
经验确定。
缓冲电压基准
基准输出VREF被用来生成temper-
ATURE设定编程电压为TMP01 ，也
由基准来确定滞后温度带
负载电流I
VREF
。主板上的输出缓冲放大器是
一般能500 μA输出驱动到高达50 pF的
负荷（最大） 。超过这个负荷会影响精度
基准电压时，可能会导致热感测错误
由于耗散，并可能诱发振荡。选择
低漂移缓冲器用作电压跟随器具有高
输入阻抗，保证了最佳的参考精度，并
不影响编程的滞环电流。放大器
它提供了低漂移，低功耗和低成本
适合于这种应用包括OP295和成员
将OP90 ， OP97 ， OP177家庭，和其他的，如图中的
以下的应用电路。
凭借出色的漂移和噪声特性， VREF提供
数据采集和转换器很好的参考电压
激发应用程序。输出漂移通常是更好的
低于-10 PPM / ° C， 315纳伏/ √Hz的（典型值）噪声谱密度
在1 kHz 。
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