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TMP01
开关负载与集电极开路
输出
在许多温度检测和控制的应用，一些
的开关类型是必需的。无论是打开的加热器
当温度低于最小值或转
关闭的电机过热时，集电极开路输出
上方和下方都可以使用。对于大多数
应用程序，使用的开关需要在处理大电流
1 A和上述的顺序。由于TMP01是准确的
测量温度时，集电极开路输出应
处理的电流小于20毫安最小化自加热。
的上方和下方的输出应该不会开车多功能数码复印机
直接换货。相反，外部开关装置是必需的
处理大电流。其中的例子是继电器，
功率MOSFET ，可控硅， IGBT的，和达林顿。
图17至图21示出了各种电路，其中所述的
TMP01控制开关。在这些主要的考虑因素
电路，例如图17中的继电器，是需要在本
激活开关。
12V
1
R1
2
R2
3
R3
4
迟滞
发电机
5
00333-017
图19示出了用于接通n沟道的类似电路
的MOSFET ，所不同的是现在的栅极至源极电压是正的。
出于这个原因，一个外部晶体管必须被用作
逆变器，使得MOSFET的导通时，下上
输出上拉了下来。
VREF
温度
传感器和VPTAT
电压
参考
V+
8
2.4kΩ （ 12V ）
1.2KΩ （ 6V ）
5%
IRFR9024 +
或当量
加热
元素
4
迟滞
发电机
5 NC
1
R1
2
R2
3
R3
7 NC
窗口
比较
6
NC =无连接
图18.驾驶P沟道MOSFET
VREF
温度
传感器和VPTAT
电压
参考
V+
8
4.7k
7 NC
窗口
比较
3
R3
4
6
2N1711
IRF130
4.7k
加热
元素
1
R1
2
R2
温度
VREF传感器和VPTAT
电压
参考
8
IN4001
或当量
7
汽车
关闭
窗口
比较
6
2604-12-311
COTO
迟滞
发电机
5 NC
NC =无连接
图19.驱动N沟道MOSFET
TMP01
图17.干簧继电器驱动器
查询的特定中继，以确保它是重要
当前需要激活该线圈不超过TMP01的
20毫安推荐的输出电流。这是很容易阻止 -
通过将继电器线圈电压按指定的线圈开采
性。请记住，继电器的电感产生
大电压尖峰会损坏TMP01的输出，除非
通过在线圈换向二极管保护的，如图所示。
所示的中继具有最大10 W的接触等级。如果
能够处理更多的功率继电器需要，较大的
接触可能需要有相应较大的线圈，与
下线圈的电阻，因而较高的触发电流。作为
联系人功率处理能力的增加，所以没有电流
所需的线圈。在某些情况下，外部的驱动晶体管
应使用以除去在TMP01的当前负载。
功率FET是流行的处理各种大电流
直流负载。图18显示了TMP01驱动p沟道
MOSFET晶体管的一个简单的加热器电路。当输出
放晶体管导通时， MOSFET的栅极被拉低
约0.6 V时，将其打开。对于大多数的MOSFET ，一个
栅极 - 源极电压，或栅极电压，在-2 V的顺序-5 V.
足以开启该设备。
绝缘栅双极晶体管（IGBT）结合大量的
功率MOSFET与双极晶体管的好处，并
用于各种高功率应用。由于IGBT的
具有类似于MOSFET的栅极，接通和断开的装置
是相对简单的，如图20 。
的导通电压为所示的IGBT （ IRGBC40S ）是
在3.0 V和5.5 V.这部分有一个连续的收藏家
50 A和电流额定值的最大集电极 - 发射极
600 V，使其电压下正常工作的要求非常严格
应用程序。
1
R1
2
R2
3
R3
4
迟滞
发电机
5 NC
窗口
比较
6
2N1711
VREF
温度
传感器和VPTAT
电压
参考
V+
8
4.7k
7 NC
IRGBC40S
4.7k
汽车
控制
NC =无连接
图20.驱动IGBT
修订版E |第11页20
00333-020
TMP01
00333-019
TMP01
00333-018
TMP01
