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MX29LV160D T / B
框图描述
第10页的框图说明MX29LV160D T / B的简化架构。在该块中的每个块
图表示在用于访问实际芯片的一个或多个电路模块，擦除，编程，和读取
存储阵列..
该"CONTROL输入LOGIC"块接收输入引脚CE ＃ ， OE ＃ ， WE＃ ， RESET ＃ ， BYTE ＃和WP ＃ / ACC 。
它根据输入引脚和输出到"ADDRESS插销与产生内部定时控制信号
BUFFER"锁存外部地址引脚A0 -AM （ A19 ） 。内部地址是从这个块的输出
主阵列和解码器"X - DECODER" ， "Y - DECODER" ， "Y - PASS GATE"和"FLASH ARRAY"组成。
在X解码器解码该字线的闪存阵列，同时在Y译码器进行译码的位线的
闪存阵列。位线被电连接到所述"SENSE AMPLIFIER"和"PGM数据HV"选择性
通过在y通门。读出放大器被用于读出的闪速存储器中的内容，而
"PGM数据HV"块用于编程过程中有选择地提供高功率位线。该"I / O
BUFFER"控制在Q0- Q 15 / A- 1焊盘的输入和输出。在读操作中， I / O缓冲器接收
从读出放大器和驱动器的输出焊盘相应的数据。在程序指令的最后一个周期中，I / O的
缓冲器发送数据Q0- Q 15 / A-1至"PROGRAM数据LATCH" ，它控制在高功率驱动器
"PGM数据HV"以根据用户输入的模式有选择地进行编程的字或字节的位。
该"PROGRAM / ERASE高VOLTAGE"块包括电路产生并提供必要的
高电压到X译码器闪存阵列，并且"PGM数据HV"块。逻辑控制模块包括
在"WRITE状态机（ WSM ） " ， "STATE REGISTER" ， "COMMAND数据DECODER"和"COMMAND
数据LATCH" 。当用户通过触发WE＃的命令就发出指令Q0 -A15 / A-1被锁存
在命令数据锁存器，并且由命令数据解码器解码。状态寄存器的接收
命令并记录该设备的当前状态。在WSM实现了内部算法程序
或者，根据通过控制框图的每个块中的电流指令状态的擦除。
P / N ： PM1315
REV 。 1.2 ，十二月22 ， 2011
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