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MX29LV160D T / B
功能操作说明
写命令/命令序列
写一个命令到设备，系统必须驱动WE＃和CE ＃为VIL和OE ＃为VIH 。在一个指令周期中，
所有的地址被锁存在CE＃后来下降沿和WE ＃ ，和所有的数据被锁存在早期崛起
的CE＃和WE ＃边沿。
图1示出的写指令的AC时间波形，表3定义了所有有效的命令集
该装置。系统是不允许把这种数据没有定义的命令无效。写无效
命令会带来器件不确定的状态。
对于读阵列数据要求
读阵列的操作是读出存储在数组中的数据。而存储器装置是在加电或已
复位时，它会自动进入读阵列的状态。如果微处理器要读取存储在数据
阵列，它具有驱动CE ＃ （设备使能控制引脚）和OE ＃ （输出控制引脚）为VIL时，输入地址
的数据的同时被读入地址引脚。经过一段时间的读周期（天驰或TAA）的，该数据被
读出将要访问显示输出引脚上的微处理器。如果CE＃或OE＃为VIH，输出将是在
三态，并且不会有任何显示输出引脚上的所有数据。
之后，存储设备完成嵌入式操作系统（自动擦除或编程） ，它会自动重新
打开读取阵列的状态，并且该设备可以在阵列中的任何地址读出的数据。中的过程中
擦除，如果设备接收到擦除挂起命令，擦除操作将暂时后停止
的时间不超过Tready1和设备更期间将返回到读出阵列的状态。此时，该设备
可以读取存储在任何地址以外的扇区被擦除的阵列中的数据。在擦除可持状态
挂起，如果用户要读取的扇区中的数据被擦除，该器件将输出状态数据到输出
放。同样，如果擦除后发出编程命令暂停，程序操作被完成之后，系统
仍然可以读取阵列数据的任何地址以外的部门被删除
该设备需要发出复位命令，以便任意地读取再次启用读数组运算
在以下两种情况下的阵列中的数据：
1.在编程或擦除操作时，编程或擦除失败会导致Q5变为高电平。
2.设备处于自动选择模式或CFI模式。
在两种情况下上述情况，如果没有发出复位命令，该设备不是在读阵列模式和系统
必须读取阵列数据之前发出复位命令。
P / N ： PM1315
REV 。 1.2 ，十二月22 ， 2011
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