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MX29LV160D T / B
概述
MX29LV160DT / B是可以被组织的每个或为16 1Mwords 8位用作2M字节一个16Mbit的闪存存储器
每个位。这些器件在2.7V的电压范围内工作，以3.6V通常采用3V电源输入。
所述存储器阵列被划分成32个相等的64千字节的块。然而，这取决于器件被用作
一个顶级的引导或底部启动设备。最外面的一个扇区的顶部或底部分别引导
阻止此设备。
该MX29LV160DT / B提供了48针TSOP ， 48球XFLGA / WFBGA和48球CSP （ TFBGA ） JEDEC
标准套餐。这些软件包提供了在含铅，以及无铅版本兼容的
符合RoHS规范。用于该设备的软件算法还坚持单一的JEDEC标准
电源设备。这些闪光的部分可以在系统或商用EPROM编程/
闪存编程器。
独立的OE ＃和CE ＃ （输出使能和芯片使能）信号提供给简化了系统设计。当
高速的处理器使用时， 70ns的读取该快闪记忆体的存取时间允许以最少的操作
由于系统定时延迟时间丢失。
提供旺宏快闪记忆体自动写入算法进行写一个自动擦除之前。
用户仅需要提供一个写命令到命令寄存器。芯片上的状态机automati-
美云控制编程和擦除功能，包括所有必要的内部时序。由于擦除和写入
操作花费更长的时间比读操作，擦除/写可被中断以执行读操作
系统蒸发散在设备等行业。对于这一点，擦除挂起操作以及擦除恢复操作是
提供的。数据＃轮询或切换位被用来指示擦除/写入操作的结束。
这些设备在使用测试时的旺宏电子制造设备制造和成熟的旺宏公司
先进的技术。此专利的非外延工艺提供了用于锁定保护程度非常高的
强调高达100毫安的地址和数据引脚从-1V到1.5xVCC 。
具有低功耗和更好的硬件和软件功能，该闪存保留数据可靠性
巧妙地为至少二十年。擦除和编程功能进行了测试，以满足一个典型规格
操作10万次。
P / N ： PM1315
REV 。 1.2 ，十二月22 ， 2011
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