位置:首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第669页 > TPA6100A2DGKRG4 > TPA6100A2DGKRG4 PDF资料 > TPA6100A2DGKRG4 PDF资料2第7页

TPA6100A2D
www.ti.com
SLOS269B - 2000年6月 - 修订2004年9月
C
B
1
v
1
55 k
C
I
R
I
1
R
L
C
C
(8)
使用低ESR电容
低ESR电容,建议在整个应用程序。一个真正的电容可以简单地建模为一个
串联电阻与理想电容。电阻两端的电压降最小化的有利影响
电容器在电路中。这个阻力越低等效值,越真实电容器表现
就像一个理想的电容。
3.3 V与1.6 V的操作
该TPA6100A2D是专为工作在1.6 V至3.6 V.有没有特别的供应范围
注意事项1.6 -V与3.3 V的操作尽可能的电源旁路,增益设置,或稳定性。最
重要的考虑因素是,输出功率。每个放大器可产生内的最大信号输出电压摆幅
用10 - k负载钢轨几百毫伏。然而,这种电压摆幅将随负载
阻力减小,并且第r
DS ( ON)
作为输出级的晶体管变得更加显著。例如,对于一
32 Ω负载,最大峰值输出电压V
DD
= 1.6 V大约是0.7 V ,没有削波失真。
此降低的电压摆动有效地降低了最大不失真输出功率。
7