TPA6100A2D
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SLOS269B - 2000年6月 - 修订2004年9月
50 mW的超低电压立体声耳机音频功率放大器
特点
50毫瓦立体声输出
低电源电流。 。 。 0.75毫安
低关断电流。 。 。 50 nA的
引脚兼容LM4881和TPA102
噼噗声抑制电路
内部中间轨生成
热和短路保护
表面贴装封装
- MSOP和SOIC
1.6 V至3.6 V电源电压范围
绕行
GND
关闭
IN2–
包
（ TOP VIEW ）
1
2
3
4
8
7
6
5
(1)
IN1–
V
O
1
V
DD
V
O
2
DGK包装
（ TOP VIEW ）
绕行
GND
关闭
IN2–
1
2
3
4
8
7
6
5
IN1–
V
O
1
V
DD
V
O
2
(1)
关断引脚的极性是相反的。
描述
该TPA6100A2D是一款立体声音频功率放大器封装在任8引脚SOIC封装或8引脚
MSOP封装能够提供50毫瓦每通道连续RMS功率为16 Ω负载。扩音器
增益由每个输入信道3的电阻的装置外部配置，并且不需要外部
赔偿1设置为10。
该TPA6100A2D对于电池的应用，因为它的低电源电流，关断电流优化，
THD + N 。为了获得低电源电压范围， TPA6100A2D旁路偏置到V
DD
/ 4 。用一个电阻
电阻等于R
F
必须从输入加至接地以使输出在V偏压
DD
/2.
当从3.3伏驱动16 Ω负载与45毫瓦的输出功率， THD + N是在1 kHz 0.04％ ，且小于0.2％
跨越20赫兹到20千赫兹的音频频带。为28毫瓦至32 Ω负载时， THD + N减小到小于0.03％
在1千赫兹，并横跨20赫兹的音频频带小于0.2％到20千赫。
典型应用电路
R
F
音频
输入
R
I
C
I
音频
输入
R
I
C
I
从关机
控制电路
C
B
4
R
3
R
F
关闭
在2-
+
V
O
2
5
C
C
BIAS
控制
2
R
1
绕行
8
在1
V
DD
/4
+
V
O
1
7
C
C
V
DD
6
V
DD
C
S
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2000-2004 ，德州仪器
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备
贮藏期间放置在导电泡棉或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
可选项
T
A
-40 ° C至85°C
封装器件
小外形封装（ D）
TPA6100A2D
MSOP （ DGK ）
TPA6100A2DGK
MSOP
符号
AJL
终端功能
终奌站
名字
绕行
GND
IN1-
IN2-
关闭
V
DD
V
O
1
V
O
2
号
1
2
8
4
3
6
7
5
I / O
I
I
I
I
I
I
O
O
描述
点击以分压器内部中间电源偏置电源。旁路被设置在V
DD
/ 4 。连接到一个0.1 μF
到1μF的低ESR电容以获得最佳性能。
GND是接地连接。
IN1-是反相输入通道1 。
IN2-是反相输入信道2 。
低电平有效的输入。当保持低电平时，器件被放置在一个低电源电流模式。
V
DD
为电源电压端子。
V
O
图1是用于信道1的音频输出。
V
O
图2是用于信道2的音频输出。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
单位
V
DD
V
I
T
J
T
英镑
电源电压
输入电压
连续总功率耗散
工作结温范围
存储温度范围
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
(1)
4V
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
内部限制
-40 ° C至150℃
-65_C到150_C
260°C
超越下"absolute最大额定值thoselisted讲“ ，可能会对thedevice永久性损坏。这些压力额定值
只，而根据"recommendedoperating指示的deviceat这些或超出任何其他条件的功能操作
条件“是不是暗示。在绝对最大ratedconditions长时间可能会影响devicereliability 。
额定功耗表
包
D
DGK
T
A
≤
25°C
额定功率
710毫瓦
469毫瓦
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
5.68毫瓦/°C的
3.75毫瓦/°C的
T
A
= 70°C
额定功率
454毫瓦
300毫瓦
T
A
= 85°C
额定功率
369毫瓦
244毫瓦
推荐工作条件
民
V
DD
电源电压
T
A
V
IH
V
IL
工作自由空气的温度
高电平输入电压
低电平输入电压
关闭
关闭
1.6
–40
0.6× V
DD
0.25× V
DD
最大
3.6
85
单位
V
°C
V
2
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DC电气特性
在T
A
= 25 ° C，V
DD
= 3.6伏特（除非另有说明）
参数
V
OO
PSRR
I
DD
I
DD （ SD ）
|I
IH
|
|I
IL
|
Z
I
输出失调电压
电源抑制比
电源电流
在关断模式下电源电流
高电平输入电流（停机）
低电平输入电流（停机）
输入阻抗（ IN1- ， IN2- ）
测试条件
A
V
= 2 V/V
V
DD
= 3.0 V至3.6 V
SHUTDOWN = 3.6 V
SHUTDOWN = 0 V
V
DD
= 3.6 V,
V
DD
= 3.6 V,
V
I
= V
DD
V
I
= 0 V
>1
民
TYP MAX
5
72
0.75
50
2.0
250
1
1
40
单位
mV
dB
mA
nA
A
A
M
交流工作特性
V
DD
= 3.3 V ，T
A
= 25 ° C，R
L
= 16
参数
P
O
THD + N
B
OM
k
SVR
SNR
V
n
输出功率（每个通道）
总谐波失真+噪声
最大输出功率BW
电源纹波抑制
信噪比
噪声输出电压（无噪声加权滤波器）
测试条件
THD
≤
0.1％中，f = 1千赫
P
O
= 45毫瓦， 20 Hz至20 kHz的
G = 1 ，THD < 0.5％
F = 1千赫
P
O
= 50毫瓦
民
典型值
50
0.2%
＆ GT ; 20
52
90
28
千赫
dB
dB
μV （ RMS）
最大
单位
mW
交流工作特性
V
DD
= 3.3 V ，T
A
= 25 ° C，R
L
= 32
参数
P
O
THD + N
B
OM
k
SVR
SNR
V
n
输出功率（每个通道）
总谐波失真+噪声
最大输出功率BW
电源纹波抑制
信噪比
噪声输出电压（无噪声加权滤波器）
测试条件
THD
≤
0.1％中，f = 1千赫
P
O
= 30毫瓦， 20 Hz至20 kHz的
G = 1 ，THD < 0.2％
F = 1千赫
P
O
= 35毫瓦
民
典型值
35
0.2%
＆ GT ; 20
52
91
28
千赫
dB
dB
μV （ RMS）
最大
单位
mW
3
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DC电气特性
在T
A
= 25 ° C，V
DD
= 1.6 V（除非另有说明）
参数
V
OO
PSRR
I
DD
I
DD （ SD ）
|I
IH
|
|I
IL
|
Z
I
输出失调电压
电源抑制比
电源电流
在关断模式下电源电流
高电平输入电流（停机）
低电平输入电流（停机）
输入阻抗（ IN1- ， IN2- ）
测试条件
A
V
= 2 V/V
V
DD
= 1.5 V至1.7 V
SHUTDOWN = 1.6 V
SHUTDOWN = 0 V
V
DD
= 1.6 V,
V
DD
= 1.6 V,
V
I
= V
DD
V
I
= 0 V
>1
民
典型值
5
80
1.2
50
1.5
250
1
1
最大
40
单位
mV
dB
mA
nA
A
A
M
交流工作特性
V
DD
= 1.6 V，T
A
= 25 ° C，R
L
= 16
参数
P
O
THD + N
B
OM
k
SVR
SNR
V
n
输出功率（每个通道）
总谐波失真+噪声
最大输出功率BW
电源纹波抑制
信噪比
噪声输出电压（无噪声加权滤波器）
测试条件
THD≤ 0.1％中，f = 1千赫
P
O
= 9.5毫瓦， 20 Hz至20 kHz的
G = 0dB时， THD < 0.4 ％
F = 1千赫
P
O
= 9.5毫瓦
民
典型值
9.5
0.4%
＆ GT ; 20
53
86
18
千赫
dB
dB
μV （ RMS）
最大
单位
mW
交流工作特性
V
DD
= 1.6 V，T
A
= 25 ° C，R
L
= 32
参数
P
O
THD + N
B
OM
k
SVR
SNR
V
n
输出功率（每个通道）
总谐波失真+噪声
最大输出功率BW
电源纹波抑制
信噪比
噪声输出电压（无噪声加权滤波器）
测试条件
THD≤ 0.1％中，f = 1千赫
P
O
= 6.5毫瓦， 20 Hz至20 kHz的
G = 0dB时， THD < 0.3 ％
F = 1千赫
P
O
= 7.1毫瓦
民
典型值
7.1
0.3%
＆ GT ; 20
53
88
18
千赫
dB
dB
μV （ RMS）
最大
单位
mW
4
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应用信息
增益设置电阻，R
F
, R
I,
和R
电压增益为TPA6100A2D由电阻器R SET
F
和R
I
根据式（1） 。
收益
+ *
R
F
R
I
或增益（dB ）
+
20日志
R
F
R
I
(1)
鉴于TPA6100A2D是一个MOS放大器的输入阻抗是高的。因此，输入漏电流
电流一般不是一个问题，虽然在电路随着R值噪声
F
增加。在
此外，在一定范围R的
F
需要的值用于放大器的正确的启动操作。合在一起，它
建议将看到的放大器的反相节点的有效阻抗5kΩ的范围内设置
和20 kΩ的。有效阻抗计算公式2 。
R
F
R
I
有效阻抗
+
R
F
)
R
I
(2)
作为一个例子，考虑为20千欧的输入电阻为20 kΩ的反馈电阻。该放大器的增益
将是-1，并且在反向端的有效阻抗是10千欧，其内
推荐范围。
对于高性能的应用，金属膜电阻被推荐的，因为它们趋向于具有较低的噪声
水平比碳电阻。当R值
F
高于50千欧，放大器容易变得不稳定，由于一个极
从研发形成
F
和MOS输入结构的固有输入电容。出于这个原因，一个小
大约5 pF的补偿电容应放置在平行带有R
F
。实际上，这会创建一个
低通滤波器网络在等式3中定义的截止频率。
1
f
c
+
2P
F
C
F
例如，若R
F
100 kΩ的和C
F
调整为5 pF ，则f
c
是318千赫，这是很好音频范围之外。
为了获得最大信号摆幅和输出功率在低电源电压喜欢1.6 V至3.3 V ， BYPASS偏向
V
DD
/ 4 。然而，为了使输出可在V偏置
DD
/ 2 ，电阻器R，等于R
F
必须放置在
负输入接地。
(3)
输入电容C
I
在典型应用中，输入电容C
I
，需要允许放大器偏置的输入信号的
适当的直流电平为最佳操作。在这种情况下，C
I
和R
I
形成一个高通滤波器的转角频率
在式（4）来确定。
1
f
c
+
2P
I
C
I
C的值
I
重要的是要考虑的，因为它直接影响了电路的低音（低频）的性能。
考虑这个例子中，R
I
是20千欧和规范要求的平坦低音响应下降到20赫兹。
式（4）被重新配置为式（5） 。
1
C
I
+
2P
I
f
c
(4)
(5)
在本实施例中，C
I
为0.4微法，所以1将可能选择在0.47 μF的范围内的值至1μF 。进一步
考虑到这些电容器是从通过输入网络的输入源的泄露路径（R
I
, C
I
）和
所述反馈电阻器（R
F
）给负载。该漏电流在输入到放大器产生一个直流偏置电压
这降低了有用的扩展空间，特别是在高增益应用（ >10 ） 。为此低泄漏钽
或陶瓷电容器是最好的选择。当极化电容器时，电容器的正极侧
应面对在大多数应用中，放大器的输入，作为DC电平有被保持在V
DD
/ 4 ，这很可能更高
比源的直流电平。它以确认应用程序中的电容器的极性是很重要的。
5
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50 mW的超低电压立体声耳机音频功率放大器
特点
50毫瓦立体声输出
低电源电流。 。 。 0.75毫安
低关断电流。 。 。 50 nA的
引脚兼容LM4881和TPA102
噼噗声抑制电路
内部中间轨生成
热和短路保护
表面贴装封装
- MSOP和SOIC
1.6 V至3.6 V电源电压范围
绕行
GND
关闭
IN2–
包
（ TOP VIEW ）
1
2
3
4
8
7
6
5
(1)
IN1–
V
O
1
V
DD
V
O
2
DGK包装
（ TOP VIEW ）
绕行
GND
关闭
IN2–
1
2
3
4
8
7
6
5
IN1–
V
O
1
V
DD
V
O
2
(1)
关断引脚的极性是相反的。
描述
该TPA6100A2D是一款立体声音频功率放大器封装在任8引脚SOIC封装或8引脚
MSOP封装能够提供50毫瓦每通道连续RMS功率为16 Ω负载。扩音器
增益由每个输入信道3的电阻的装置外部配置，并且不需要外部
赔偿1设置为10。
该TPA6100A2D对于电池的应用，因为它的低电源电流，关断电流优化，
THD + N 。为了获得低电源电压范围， TPA6100A2D旁路偏置到V
DD
/ 4 。用一个电阻
电阻等于R
F
必须从输入加至接地以使输出在V偏压
DD
/2.
当从3.3伏驱动16 Ω负载与45毫瓦的输出功率， THD + N是在1 kHz 0.04％ ，且小于0.2％
跨越20赫兹到20千赫兹的音频频带。为28毫瓦至32 Ω负载时， THD + N减小到小于0.03％
在1千赫兹，并横跨20赫兹的音频频带小于0.2％到20千赫。
典型应用电路
R
F
音频
输入
R
I
C
I
音频
输入
R
I
C
I
从关机
控制电路
C
B
4
R
3
R
F
关闭
在2-
+
V
O
2
5
C
C
BIAS
控制
2
R
1
绕行
8
在1
V
DD
/4
+
V
O
1
7
C
C
V
DD
6
V
DD
C
S
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2000-2004 ，德州仪器
TPA6100A2D
SLOS269B - 2000年6月 - 修订2004年9月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备
贮藏期间放置在导电泡棉或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
可选项
T
A
-40 ° C至85°C
封装器件
小外形封装（ D）
TPA6100A2D
MSOP （ DGK ）
TPA6100A2DGK
MSOP
符号
AJL
终端功能
终奌站
名字
绕行
GND
IN1-
IN2-
关闭
V
DD
V
O
1
V
O
2
号
1
2
8
4
3
6
7
5
I / O
I
I
I
I
I
I
O
O
描述
点击以分压器内部中间电源偏置电源。旁路被设置在V
DD
/ 4 。连接到一个0.1 μF
到1μF的低ESR电容以获得最佳性能。
GND是接地连接。
IN1-是反相输入通道1 。
IN2-是反相输入信道2 。
低电平有效的输入。当保持低电平时，器件被放置在一个低电源电流模式。
V
DD
为电源电压端子。
V
O
图1是用于信道1的音频输出。
V
O
图2是用于信道2的音频输出。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
单位
V
DD
V
I
T
J
T
英镑
电源电压
输入电压
连续总功率耗散
工作结温范围
存储温度范围
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
(1)
4V
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
内部限制
-40 ° C至150℃
-65_C到150_C
260°C
超越下"absolute最大额定值thoselisted讲“ ，可能会对thedevice永久性损坏。这些压力额定值
只，而根据"recommendedoperating指示的deviceat这些或超出任何其他条件的功能操作
条件“是不是暗示。在绝对最大ratedconditions长时间可能会影响devicereliability 。
额定功耗表
包
D
DGK
T
A
≤
25°C
额定功率
710毫瓦
469毫瓦
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
5.68毫瓦/°C的
3.75毫瓦/°C的
T
A
= 70°C
额定功率
454毫瓦
300毫瓦
T
A
= 85°C
额定功率
369毫瓦
244毫瓦
推荐工作条件
民
V
DD
电源电压
T
A
V
IH
V
IL
工作自由空气的温度
高电平输入电压
低电平输入电压
关闭
关闭
1.6
–40
0.6× V
DD
0.25× V
DD
最大
3.6
85
单位
V
°C
V
2
TPA6100A2D
www.ti.com
SLOS269B - 2000年6月 - 修订2004年9月
DC电气特性
在T
A
= 25 ° C，V
DD
= 3.6伏特（除非另有说明）
参数
V
OO
PSRR
I
DD
I
DD （ SD ）
|I
IH
|
|I
IL
|
Z
I
输出失调电压
电源抑制比
电源电流
在关断模式下电源电流
高电平输入电流（停机）
低电平输入电流（停机）
输入阻抗（ IN1- ， IN2- ）
测试条件
A
V
= 2 V/V
V
DD
= 3.0 V至3.6 V
SHUTDOWN = 3.6 V
SHUTDOWN = 0 V
V
DD
= 3.6 V,
V
DD
= 3.6 V,
V
I
= V
DD
V
I
= 0 V
>1
民
TYP MAX
5
72
0.75
50
2.0
250
1
1
40
单位
mV
dB
mA
nA
A
A
M
交流工作特性
V
DD
= 3.3 V ，T
A
= 25 ° C，R
L
= 16
参数
P
O
THD + N
B
OM
k
SVR
SNR
V
n
输出功率（每个通道）
总谐波失真+噪声
最大输出功率BW
电源纹波抑制
信噪比
噪声输出电压（无噪声加权滤波器）
测试条件
THD
≤
0.1％中，f = 1千赫
P
O
= 45毫瓦， 20 Hz至20 kHz的
G = 1 ，THD < 0.5％
F = 1千赫
P
O
= 50毫瓦
民
典型值
50
0.2%
＆ GT ; 20
52
90
28
千赫
dB
dB
μV （ RMS）
最大
单位
mW
交流工作特性
V
DD
= 3.3 V ，T
A
= 25 ° C，R
L
= 32
参数
P
O
THD + N
B
OM
k
SVR
SNR
V
n
输出功率（每个通道）
总谐波失真+噪声
最大输出功率BW
电源纹波抑制
信噪比
噪声输出电压（无噪声加权滤波器）
测试条件
THD
≤
0.1％中，f = 1千赫
P
O
= 30毫瓦， 20 Hz至20 kHz的
G = 1 ，THD < 0.2％
F = 1千赫
P
O
= 35毫瓦
民
典型值
35
0.2%
＆ GT ; 20
52
91
28
千赫
dB
dB
μV （ RMS）
最大
单位
mW
3
TPA6100A2D
SLOS269B - 2000年6月 - 修订2004年9月
www.ti.com
DC电气特性
在T
A
= 25 ° C，V
DD
= 1.6 V（除非另有说明）
参数
V
OO
PSRR
I
DD
I
DD （ SD ）
|I
IH
|
|I
IL
|
Z
I
输出失调电压
电源抑制比
电源电流
在关断模式下电源电流
高电平输入电流（停机）
低电平输入电流（停机）
输入阻抗（ IN1- ， IN2- ）
测试条件
A
V
= 2 V/V
V
DD
= 1.5 V至1.7 V
SHUTDOWN = 1.6 V
SHUTDOWN = 0 V
V
DD
= 1.6 V,
V
DD
= 1.6 V,
V
I
= V
DD
V
I
= 0 V
>1
民
典型值
5
80
1.2
50
1.5
250
1
1
最大
40
单位
mV
dB
mA
nA
A
A
M
交流工作特性
V
DD
= 1.6 V，T
A
= 25 ° C，R
L
= 16
参数
P
O
THD + N
B
OM
k
SVR
SNR
V
n
输出功率（每个通道）
总谐波失真+噪声
最大输出功率BW
电源纹波抑制
信噪比
噪声输出电压（无噪声加权滤波器）
测试条件
THD≤ 0.1％中，f = 1千赫
P
O
= 9.5毫瓦， 20 Hz至20 kHz的
G = 0dB时， THD < 0.4 ％
F = 1千赫
P
O
= 9.5毫瓦
民
典型值
9.5
0.4%
＆ GT ; 20
53
86
18
千赫
dB
dB
μV （ RMS）
最大
单位
mW
交流工作特性
V
DD
= 1.6 V，T
A
= 25 ° C，R
L
= 32
参数
P
O
THD + N
B
OM
k
SVR
SNR
V
n
输出功率（每个通道）
总谐波失真+噪声
最大输出功率BW
电源纹波抑制
信噪比
噪声输出电压（无噪声加权滤波器）
测试条件
THD≤ 0.1％中，f = 1千赫
P
O
= 6.5毫瓦， 20 Hz至20 kHz的
G = 0dB时， THD < 0.3 ％
F = 1千赫
P
O
= 7.1毫瓦
民
典型值
7.1
0.3%
＆ GT ; 20
53
88
18
千赫
dB
dB
μV （ RMS）
最大
单位
mW
4
TPA6100A2D
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SLOS269B - 2000年6月 - 修订2004年9月
应用信息
增益设置电阻，R
F
, R
I,
和R
电压增益为TPA6100A2D由电阻器R SET
F
和R
I
根据式（1） 。
收益
+ *
R
F
R
I
或增益（dB ）
+
20日志
R
F
R
I
(1)
鉴于TPA6100A2D是一个MOS放大器的输入阻抗是高的。因此，输入漏电流
电流一般不是一个问题，虽然在电路随着R值噪声
F
增加。在
此外，在一定范围R的
F
需要的值用于放大器的正确的启动操作。合在一起，它
建议将看到的放大器的反相节点的有效阻抗5kΩ的范围内设置
和20 kΩ的。有效阻抗计算公式2 。
R
F
R
I
有效阻抗
+
R
F
)
R
I
(2)
作为一个例子，考虑为20千欧的输入电阻为20 kΩ的反馈电阻。该放大器的增益
将是-1，并且在反向端的有效阻抗是10千欧，其内
推荐范围。
对于高性能的应用，金属膜电阻被推荐的，因为它们趋向于具有较低的噪声
水平比碳电阻。当R值
F
高于50千欧，放大器容易变得不稳定，由于一个极
从研发形成
F
和MOS输入结构的固有输入电容。出于这个原因，一个小
大约5 pF的补偿电容应放置在平行带有R
F
。实际上，这会创建一个
低通滤波器网络在等式3中定义的截止频率。
1
f
c
+
2P
F
C
F
例如，若R
F
100 kΩ的和C
F
调整为5 pF ，则f
c
是318千赫，这是很好音频范围之外。
为了获得最大信号摆幅和输出功率在低电源电压喜欢1.6 V至3.3 V ， BYPASS偏向
V
DD
/ 4 。然而，为了使输出可在V偏置
DD
/ 2 ，电阻器R，等于R
F
必须放置在
负输入接地。
(3)
输入电容C
I
在典型应用中，输入电容C
I
，需要允许放大器偏置的输入信号的
适当的直流电平为最佳操作。在这种情况下，C
I
和R
I
形成一个高通滤波器的转角频率
在式（4）来确定。
1
f
c
+
2P
I
C
I
C的值
I
重要的是要考虑的，因为它直接影响了电路的低音（低频）的性能。
考虑这个例子中，R
I
是20千欧和规范要求的平坦低音响应下降到20赫兹。
式（4）被重新配置为式（5） 。
1
C
I
+
2P
I
f
c
(4)
(5)
在本实施例中，C
I
为0.4微法，所以1将可能选择在0.47 μF的范围内的值至1μF 。进一步
考虑到这些电容器是从通过输入网络的输入源的泄露路径（R
I
, C
I
）和
所述反馈电阻器（R
F
）给负载。该漏电流在输入到放大器产生一个直流偏置电压
这降低了有用的扩展空间，特别是在高增益应用（ >10 ） 。为此低泄漏钽
或陶瓷电容器是最好的选择。当极化电容器时，电容器的正极侧
应面对在大多数应用中，放大器的输入，作为DC电平有被保持在V
DD
/ 4 ，这很可能更高
比源的直流电平。它以确认应用程序中的电容器的极性是很重要的。
5
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