功能说明
图7 。
OSCIN和OSCOUT引脚配置
L6474
注意：
当OSCIN未使用时，应悬空。
当OSCOUT是未使用过的，应当悬空。
6.9
过电流检测
当在任何的功率MOSFET的电流超过编程的过电流
阈值时，状态寄存器OCD标志被拉低，直到过流事件具有
过期一个的getStatus命令被发送到IC （见第
9.1.13
和
9.1.9).
当所有的功率MOSFET电流下降到低于设定的过流事件过期
过流阈值。
过流阈值可通过OCD_TH寄存器16中的一个进行编程
可用值范围375 mA至6 A和步骤375毫安（见
表9
段
9.1.9).
所以能够设定的过电流事件是否会导致MOSFET关断
（高阻抗状态桥）作用在CONFIG寄存器中的OC_SD位（见
段
9.1.12).
强迫症的标志状态寄存器中的反正上升（见
表28 ，
段
9.1.13).
当IC输出由一个强迫症事件关掉，它们不能被打开，直到
OCD标志被释放的getStatus一个命令。
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