DDR和DDR2 SDRAM
表12. DDR SDRAM直流电气特性的GV
DD
（典型值） = 2.5 V（续）
参数/条件
输出漏电流
高输出电流（V
OUT
= 1.8 V)
输出低电流（V
OUT
= 0.42 V)
符号
I
OZ
I
OH
I
OL
民
–50
–16.2
16.2
最大
50
—
—
单位
μA
mA
mA
笔记
4
—
—
注意事项：
1. GV
DD
预计将在50毫伏的DRAM的拍摄画面GV的
DD
在任何时候。
2. MV
REF
预计是等于0.5的
×
GV
DD
和跟踪GV
DD
DC变动，在接收端进行测量。峰 - 峰
在MV的噪音
REF
不得超过DC值的±2％。
3. V
TT
不直接向设备施加。它是哪个远端信号的终止是由供给和预期为
等于MV
REF
。这条铁路应该跟踪变化， MV的直流电平
REF
.
4.输出泄漏测量时，所有输出关闭， 0 V
≤
V
OUT
≤
GV
DD
.
表13
提供了DDR I / O容量时， GV
DD
（典型值） = 2.5 V.
表13. DDR SDRAM容量为GV
DD
（典型值）= 2.5 V
参数/条件
输入/输出电容： DQ ， DQS
三角洲输入/输出电容： DQ ， DQS
符号
C
IO
C
DIO
民
6
—
最大
8
0.5
单位
pF
pF
笔记
1
1
注意：
1.该参数进行采样。 GV
DD
= 2.5 V± 0.125 V，F = 1 MHz时，T
A
= 25 ° C，V
OUT
= GV
DD
/2, V
OUT
（峰 - 峰值） = 0.2V。
表14
为MV的电流消耗特性
REF
.
表14.电流消耗特性MV
REF
参数/条件
电流消耗MV
REF
符号
I
MVREF
民
—
最大
500
单位
μA
笔记
1
注意：
1. MV稳压器
REF
必须能提供高达500
μA
电流。
6.2
DDR SDRAM AC电气特性
本节提供了交流电气特性的DDR SDRAM接口。
6.2.1
DDR SDRAM输入AC时序规范
表15. DDR2 SDRAM输入AC时序规格为1.8 V接口
表15
提供输入AC时序规格为DDR SDRAM时， GV
DD
（典型值） = 1.8 V.
在推荐的工作条件。
参数
AC输入低电压
交流输入高电压
符号
V
IL
V
IH
民
—
MV
REF
+ 0.25
最大
MV
REF
– 0.25
—
单位
V
V
笔记
—
—
MPC8533E的PowerQUICC III集成处理器的硬件规格，第4版
18
飞思卡尔半导体公司
