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恩智浦半导体
PSMN3R2-25YLC
N沟道25 V 3.4 mΩ的使用NextPower LFPAK的逻辑电平MOSFET
7.特点
表7中。
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
特征
参数
漏源击穿
电压
门源阈值电压
条件
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= -55 °C
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 25 °C;
SEE
图10 ;
SEE
图11
I
D
= 10毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 150 °C
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= -55 °C
I
DSS
I
GSS
R
DSON
漏极漏电流
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 150 °C
V
GS
= 16 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= -16 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图12
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 150 °C;
SEE
图12 ;
SEE
图13
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图12
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 150 °C;
SEE
图12 ;
SEE
图13
R
G
Q
G（ TOT ）
栅极电阻
总栅极电荷
F = 1 MHz的
I
D
= 25 A; V
DS
= 12 V; V
GS
= 10 V;
SEE
图14 ;
SEE
图15
I
D
= 25 A; V
DS
= 12 V; V
GS
= 4.5 V;
SEE
图14 ;
SEE
图15
I
D
= 0 ; V
DS
= 0 V; V
GS
= 10 V
Q
GS
Q
GS （ TH）
Q
GS （ TH- PL ）
Q
GD
V
GS （ PL ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
PSMN3R2-25YLC
民
25
22.5
1.05
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
1.54
-
-
-
-
-
-
3.7
-
2.85
-
1.8
30
14
26
4.5
3.2
1.3
4
2.48
1781
462
152
19
19
30
11
最大
-
-
1.95
-
2.25
1
100
100
100
4.45
7.2
3.4
5.5
3.6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
V
V
V
A
A
nA
nA
m
m
m
m
nC
nC
nC
nC
nC
nC
nC
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
静态特性
动态特性
栅极 - 源电荷
预阈值的栅 - 源
收费
后的阈值的栅 - 源
收费
栅极 - 漏极电荷
栅源电压平台
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
I
D
= 25 A; V
DS
= 12 V; V
GS
= 4.5 V;
SEE
图14 ;
SEE
图15
I
D
= 25 A; V
DS
= 12 V;
SEE
图14 ;
SEE
图15
V
DS
= 12 V; V
GS
= 0 V ; F = 1兆赫;
T
j
= 25°C ;看
图16
-
-
-
-
-
-
-
-
V
DS
= 12 V ;
L
= 0.5
;
V
GS
= 4.5 V;
R
G（ EXT ）
= 4.7
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版本01 - 2011年5月2日
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