位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第1083页 > PSMN3R2-25YLC > PSMN3R2-25YLC PDF资料 > PSMN3R2-25YLC PDF资料1第3页
恩智浦半导体
PSMN3R2-25YLC
N沟道25 V 3.4 mΩ的使用NextPower LFPAK的逻辑电平MOSFET
5.极限值
表5 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
T
SLD （M）的
V
ESD
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
峰值焊接温度
静电放电电压
源出电流
峰源电流
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
MM （ JEDEC JESD22- A115 ）
T
mb
= 25 °C
脉冲;吨
p
≤
10微秒;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 100 A;
V
SUP
≤
25 V ;松开;
GS
= 50
;
SEE
科幻gure 3
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
脉冲;吨
p
≤
10微秒;牛逼
mb
= 25 °C;
SEE
图4
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
条件
25 °C
≤
T
j
≤
175 °C
25 °C
≤
T
j
≤
175 ℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
340
-
-
-
最大
25
25
20
100
81
462
79
175
175
260
-
72
462
34
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
V
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
[1]
连续电流通过包装有限
150
I
D
(A)
120
003aaf840
120
P
DER
(%)
80
03na19
90
(1)
60
40
30
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
连续漏极电流的一个函数
安装基座的温度
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
NXP B.V. 2011保留所有权利。
PSMN3R2-25YLC
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
产品数据表
版本01 - 2011年5月2日
3 15
