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恩智浦半导体
PSMN8R2-80YS
N沟道LFPAK 80 V 8.5 mΩ的标准电平MOSFET
9.法律信息
9.1
数据表状态
产品状态
[3]
发展
QUALI科幻阳离子
生产
德网络nition
本文件包含从客观规范的产品开发数据。
本文件包含的初步规格数据。
本文件包含的产品规格。
文档状态
[1][2]
目标[短]数据表
初步[短]数据表
产品[短]数据表
[1]
[2]
[3]
启动或完成设计之前，请咨询最新发布的文档。
术语“短数据表”中第"Definitions"解释。
本文档中描述的设备（S ）的产品的状态可能已经改变，因为这个文件公布，并可能在不同的情况下，多台设备。最新产品
状态信息可在互联网上的网址
http://www.nxp.com 。
9.2
释义
草案
- 该文件只是一个草稿。内容仍在
内部审查，并经正式批准，这可能会导致
修改或补充。恩智浦半导体公司不给任何
陈述或保证的准确性或完整性
此处包含的信息，并有权对造成的后果不承担任何责任
使用这些信息。
短期数据表
- 短数据表是从一个完整的数据资料的摘录
与同产品类型号码和标题。短数据表意
为快速参考之用，不应依靠包含详细，
全部信息。有关详细和完整的信息，请参阅相关的全部数据
表，它可以在通过本地恩智浦半导体的销售要求
办公。如有任何不一致或冲突，短数据表中，
完整的数据资料为准。
应用
- 在此描述的任何的这些应用
产品仅用于说明目的。恩智浦半导体是没有
陈述或保证，这些应用将是适当的
没有进一步的测试或修改指定用途。
快速参考数据
- 快速参考数据的提取物
在此限制值和特征部分给出的产品数据
文件，因此是不完整的，详尽的，或具有法律约束力。
极限值
- 压力以上的一个或多个限制值（定义在
IEC 60134的绝对最大额定值系统）可能会导致永久性的
损坏设备。极限值只是应力额定值和操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在给定的
本文档的特性部分将得不到保证。暴露限制
长时间的值可能会影响器件的可靠性。
销售条款和条件
- 恩智浦半导体产品销售
受一般条款和商业销售的条件，如公布
at
http://www.nxp.com/pro科幻LE /而言，
包括与保修，
知识产权侵权和赔偿责任限制，除非
明确由恩智浦半导体另有书面同意。在箱子
信息之间的这份文件，这样在任何不一致或CON FL ICT
条款和条件，以后者为准。
没有任何要约出售或许可
- 本文档中的任何内容都不得被解释或
视为出售要约是开放接受或授予，
在任何著作权，专利运输工具或任何许可或
其它工业或知识产权。
出口管制
- 本文件以及所述一条（或多条）本文所述的可
受到出口管制条例。出口可能需要先
授权由国家主管部门。
9.3
免责声明
一般
- 本文件中的信息被认为是准确和
可靠的。然而，恩智浦半导体不给予任何陈述或
明示或暗示的保证，至于这样的准确性或完整性
信息，并有权对使用此类的后果不承担任何责任
信息。
有权进行修改
- 恩智浦半导体公司保留作出正确的
变化信息文件中公布的，包括但
不限规格和产品说明，在任何时候，不
通知。本文件取代之前提供的所有信息
于此次公布。
适合使用
- 恩智浦半导体产品不是设计，
授权或担保适合用于医疗，军事，飞机使用，
空间或生命支持设备，也没有在应用中出现故障或
恩智浦半导体产品的故障可合理预期
导致人身伤害，死亡或严重财产或环境
损害。恩智浦半导体公司接受了包容和/或使用不承担任何责任
恩智浦半导体的产品在此类设备或应用程序和
因此，这样的包容性和/或用法是在客户自己的风险。
9.4
商标
注意：所有引用的品牌，产品名称，服务名称和商标
是其各自所有者的财产。
的TrenchMOS
- 是恩智浦B.V.的商标。
10.联系方式
欲了解更多信息，请访问：
http://www.nxp.com
对于销售办事处地址，请发送电子邮件至：
salesaddresses@nxp.com
PSMN8R2-80YS_1
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2009年6月25日
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