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PSMN8R2-80YS
N沟道LFPAK 80 V 8.5 mΩ的标准电平MOSFET
版本01 - 2009年6月25日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
在LFPAK封装标准水平的N沟道MOSFET资格175 ℃。本产品是
在广泛的工业,通信和国内设计和合格的使用
设备。
1.2特点和优点
先进的TrenchMOS提供低
导通电阻和低栅极电荷
高效率提升开关
电源转换器
改进的机械性能和热
特征
LFPAK提供的最大功率
密度在电力SO8封装
1.3应用
的DC- DC转换器
锂离子电池保护
负载开关
电机控制
服务器电源
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
T
j
快速参考
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1
T
mb
= 25°C ;看
图2
-
-
-
-55
V
GS
= 10 V ;牛逼
J(下INIT )
= 25 °C;
I
D
= 75 A; V
SUP
80 V;
R
GS
= 50
;
松开
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
V
DS
= 40 V ;看
图14 ;
SEE
图15
-
典型值
-
-
-
-
-
最大
80
82
130
175
120
单位
V
A
W
°C
mJ
漏 - 源电压
j
25 ℃;牛逼
j
175 °C
漏电流
总功率
耗散
结温
符号参数
雪崩耐用性
E
DS ( AL )S
不重复
漏源
雪崩能量
动态特性
Q
GD
Q
G( TOT )
栅极 - 漏极电荷
总栅极电荷
-
-
12
55
-
-
nC
nC
恩智浦半导体
PSMN8R2-80YS
N沟道LFPAK 80 V 8.5 mΩ的标准电平MOSFET
快速参考
- 续
条件
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;
T
j
= 100 ℃;看
图12
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;
T
j
= 25°C ;看
图13 ;
SEE
图12
-
-
典型值
-
5.8
最大
13.4
8.5
单位
m
m
表1中。
符号参数
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
2.管脚信息
表2中。
1
2
3
4
mb
S
S
S
G
D
管脚信息
符号
描述
来源
来源
来源
安装底座;连接
mbb076
简化的轮廓
mb
图形符号
D
G
S
1 2 3 4
SOT669
( LFPAK )
3.订购信息
表3中。
订购信息
名字
PSMN8R2-80YS
LFPAK
描述
塑料单端表面安装封装( LFPAK ) ; 4引线
VERSION
SOT669
类型编号
PSMN8R2-80YS_1
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2009年6月25日
2 14
恩智浦半导体
PSMN8R2-80YS
N沟道LFPAK 80 V 8.5 mΩ的标准电平MOSFET
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
T
SLD (M)的
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
PEAK焊接
温度
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C
t
p
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
t
p
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
条件
T
j
25 ℃;牛逼
j
175 °C
T
j
25 ℃;牛逼
j
175 ℃;
GS
= 20 k
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
最大
80
80
20
57
82
326
130
175
175
260
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
源极 - 漏极二极管
I
S
I
SM
E
DS ( AL )S
-
-
-
82
326
120
A
A
mJ
雪崩耐用性
不重复
V
GS
= 10 V ;牛逼
J(下INIT )
= 25°C ;我
D
= 75 A; V
SUP
80 V;
漏源雪崩
GS
= 50
;
松开
能源
80
I
D
(A)
60
003aad260
120
P
DER
(%)
80
03aa16
40
40
20
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
标准化的连续漏极电流为
的安装基座温度功能
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
PSMN8R2-80YS_1
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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3 14
恩智浦半导体
PSMN8R2-80YS
N沟道LFPAK 80 V 8.5 mΩ的标准电平MOSFET
10
3
I
D
(A)
10
2
100μ s
10
DC
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
10μ s
003aad315
1
1ms
10ms
100ms
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
10
3
图3 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
PSMN8R2-80YS_1
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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版本01 - 2009年6月25日
4 14
恩智浦半导体
PSMN8R2-80YS
N沟道LFPAK 80 V 8.5 mΩ的标准电平MOSFET
5.热特性
表5 。
符号
R
日( J- MB )
热特性
参数
热阻结到
安装底座
条件
SEE
图4
-
典型值
-
最大
1.1
单位
K / W
10
Z
日( J- MB )
(K / W)
1
δ
= 0.5
10
-1
003aac456
0.2
0.1
0.05
0.02
P
δ
=
t
p
T
10
-2
单发
t
p
T
t
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
(s)
1
图4 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
PSMN8R2-80YS_1
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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版本01 - 2009年6月25日
5 14
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    PSMN8R2-80YS
    -
    -
    -
    -
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