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三菱RF功率MOS FET

静电敏感器件

观察处理注意事项

RD70HHF1

Zo=10

硅MOSFET功率晶体管为30MHz ， 70W

输入/输出阻抗VS.FREQUENCY特性

F = 30MHz的ZOUT

F = 30MHz的寻

ZIN ， ZOUT

f

（兆赫）

30

寻

（欧姆）

5.28-j20.08

ZOUT

（欧姆）

0.77-j0.22

条件

Po=97W,

Vdd=12.5V,Pin=3.5W

RD70HHF1

三菱电机

5/7

Rev.5号4月2日。 2004年

5

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