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三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD70HHF1
25.0+/-0.3
7.0+/-0.5 11.0+/-0.3
1
硅MOSFET功率晶体管为30MHz , 70W
描述
RD70HHF1是MOS FET型晶体管专
专为HF高功率放大器的应用。
外形绘图
4-C2
24.0+/-0.6
高功率和高增益:
Pout>70W , Gp>13dB @ VDD = 12.5V , F = 30MHz的
高效率: 60 % typ.on HF频段
2
10.0+/-0.3
特点
9.6+/-0.3
0.1
-0.01
3
+0.05
R1.6+/-0.15
4.5+/-0.7
6.2+/-0.7
应用
对高功率放大器的高频输出级
带移动无线电设备。
5.0+/-0.3
18.5+/-0.3
1.DRAIN
2.SOURCE
3.GATE
单位:mm
绝对最大额定值
(Tc=25
°C
除非另有说明)
符号
V
DSS
V
GSS
PCH
ID
总胆固醇
TSTG
RTH J-
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
散热通道
输入功率
漏电流
通道温度
储存温度
热阻
条件
Vgs=0V
Vds=0V
Tc=25
°C
Zg=Zl=50
-
-
-
结到外壳
评级
50
+/-20
150
5
20
175
-40到+175
1.0
单位
V
V
W
W
A
°C
°C
° C / W
注1 :以上参数是独立的保证。
电气特性
(TC = 25deg.C ,除非另有说明)
符号
I
DSS
I
GSS
V
TH
ηD
参数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
栅极阈值电压
输出功率
漏EF网络效率
负载VSWR容差
条件
V
DS
=17V, V
GS
=0V
V
GS
=10V, V
DS
=0V
V
DS
= 12V,我
DS
=1mA
F = 30MHz的,V
DD
=12.5V
Pin=3.5W,Idq=1.0A
V
DD
= 15.2V , PO = 70W (引脚控制)
f=30MHz,Idq=1.0A,Zg=50
负载VSWR = 20 : 1 (全期)
范围
典型值最大值。
-
-
10
-
-
1
1.5
-
4.5
70
80
-
55
60
-
无破坏
单位
uA
uA
V
W
%
-
注:以上参数,收视率,限制和条件可能发生变化。
RD70HHF1
3.3+/-0.2
三菱电机
1/7
Rev.5号4月2日。 2004年
三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD70HHF1
VGS -IDS特征
10
8
6
4
2
0
Ta=+25°C
Vds=10V
硅MOSFET功率晶体管为30MHz , 70W
典型特征
漏损耗 -
环境温度
200
散热通道
P沟(W)的
160
80
40
0
0
40
80
120 160 200
环境温度Ta ( ° C)
IDS ( A)
120
0
1
2
3
4
VGS ( V)
5
6
7
VDS- IDS特征
10
Ta=+25°C
VDS VS.西塞特性
300
Vgs=6V
Vgs=5.7V
Vgs=5.4V
Ta=+25°C
f=1MHz
8
6
4
2
0
0
2
4
6
VDS ( V)
8
10
250
200
西塞(PF )
150
100
50
0
0
IDS ( A)
Vgs=5.1V
Vgs=4.8V
Vgs=4.5V
Vgs=4.2V
10
VDS ( V)
20
30
VDS VS.科斯特性
500
400
COSS (PF )
300
200
100
0
0
10
VDS ( V)
20
30
Ta=+25°C
f=1MHz
VDS VS. CRSS特性
40
Ta=+25°C
f=1MHz
30
CRSS (PF )
20
10
0
0
10
VDS ( V)
20
30
RD70HHF1
三菱电机
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Rev.5号4月2日。 2004年
三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD70HHF1
销宝特点
硅MOSFET功率晶体管为30MHz , 70W
典型特征
销宝特点
50
宝(DBM ) ,GP (分贝) ,
IDD ( A)
40
30
20
10
I½½
Ta=+25°C
f=30MHz
Vdd=12.5V
Idq=1A
Po
100
噘嘴(W ) ,国际直拨电话( A)
80
60
40
20
0
ηd(%)
100
80
60
40
20
0
0
1
Po
100
ηd
80
60
ηd(%)
Gp
η½
国际直拨电话
Ta=25°C
f=30MHz
Vdd=12.5V
Idq=1A
40
20
0
0
0
10
20
PIN ( DBM)
30
2
3
销(W)的
4
VDD -宝特征
120
100
80
宝( W)
60
40
20
0
2
4
6
8
10
Vdd的(V)的
12
14
Ta=25°C
f=30MHz
Pin=3.5W
Idq=1A
ZG = ZI = 50欧姆
Po
VGS -IDS CHARACTORISTICS 2
+25°C
30
25
20
IDD ( A)
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
VGS ( V)
5
6
7
Vds=10V
Tc=-25~+75°C
国际直拨电话
15
10
5
0
IDS ( A)
+75°C
-25°C
Vgs-
g
米CHARACTORISTICS
6
5
4
Vds=10V
Tc=-25~+75°C
g
M( S)
3
2
1
0
0
1
2
3
4
VGS ( V)
+75°C
-25°C
+25°C
5
6
RD70HHF1
三菱电机
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Rev.5号4月2日。 2004年
三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD70HHF1
硅MOSFET功率晶体管为30MHz , 70W
测试电路( F = 30MHz的)
VGG
VDD
330uF,50V
C1
L2
C1
220pF
C1
C2
1欧姆
220pF
L3
10K欧姆
33uF,50V
330欧姆
200pF
L1为180pF
C1
68pF*3
330pF
33pF
47pF
L4
180pF
200pF
68pF*3
330pF
33pF
1000pF
47pF
16
25
78
89
93
100
4.5
16
20
23
26
43
58
61
66
92
100
12
8
C1 : 100pF的, 0.022uF , 0.1uF的并行
C2 : 470uF的*并行2
L1 : 8Turns , I.D8mm , D1.6mm银plateted铜线
L2 : 10Turns , I.D8mm , D1.6mm银plateted铜线
L3 : 5Turns , I.D6mm , D0.7mm铜线P = 0.5毫米
L4 : 1Turns , I.D10mm , D1.6mm银plateted铜线
外形尺寸:毫米
14
注:板料,聚四氟乙烯基板
微带线的宽度= 4.2毫米/ 50欧姆,呃: 2.7 , T = 1.6毫米
RD70HHF1
三菱电机
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三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD70HHF1
Zo=10
硅MOSFET功率晶体管为30MHz , 70W
输入/输出阻抗VS.FREQUENCY特性
F = 30MHz的ZOUT
F = 30MHz的寻
ZIN , ZOUT
f
(兆赫)
30
(欧姆)
5.28-j20.08
ZOUT
(欧姆)
0.77-j0.22
条件
Po=97W,
Vdd=12.5V,Pin=3.5W
RD70HHF1
三菱电机
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