三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD70HHF1
销宝特点
硅MOSFET功率晶体管为30MHz ， 70W
典型特征
销宝特点
50
宝（DBM ） ，GP （分贝） ，
IDD （ A）
40
30
20
10
Ｉ½½
Ta=+25°C
f=30MHz
Vdd=12.5V
Idq=1A
Po
100
噘嘴（W ） ，国际直拨电话（ A）
80
60
40
20
0
ηd(%)
100
80
60
40
20
0
0
1
Po
100
ηd
80
60
ηd(%)
Gp
η½
国际直拨电话
Ta=25°C
f=30MHz
Vdd=12.5V
Idq=1A
40
20
0
0
0
10
20
PIN （ DBM）
30
2
3
销（W）的
4
VDD -宝特征
120
100
80
宝（ W）
60
40
20
0
2
4
6
8
10
Vdd的（V）的
12
14
Ta=25°C
f=30MHz
Pin=3.5W
Idq=1A
ZG = ZI = 50欧姆
Po
VGS -IDS CHARACTORISTICS 2
+25°C
30
25
20
IDD （ A）
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
VGS （ V）
5
6
7
Vds=10V
Tc=-25~+75°C
国际直拨电话
15
10
5
0
IDS （ A）
+75°C
-25°C
Vgs-
g
米CHARACTORISTICS
6
5
4
Vds=10V
Tc=-25~+75°C
g
M（ S）
3
2
1
0
0
1
2
3
4
VGS （ V）
+75°C
-25°C
+25°C
5
6
RD70HHF1
三菱电机
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Rev.5号4月2日。 2004年
