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非开关电气规格
LVD禁止，电压调节器禁用
没有个GPIO触发
从闪存执行代码
框图待定
图2.运行模式下电源电流与核心频率 - 使所有外设时钟
5.2.6 EMC电磁辐射工作行为
表6. EMC电磁辐射工作行为
符号
V
RE1
V
RE2
V
RE3
V
RE4
描述
辐射压，带1
辐射压，带2
辐射压，带3
辐射压，带4
频率
带（兆赫）
0.15–50
50–150
150–500
500–1000
0.15–1000
典型值。
待定
待定
待定
待定
待定
—
2, 3
单位
dBμV的
笔记
1, 2
V
RE_IEC_SAE
IEC和SAE等级
1.符合IEC 61967-1标准的决心，
集成电路 - 电磁辐射的测量， 150
kHz至1 GHz的1部分：通用条件和定义，
IEC标准61967-2 ，
集成电路 - 测量
电磁辐射， 150 kHz至1 GHz的第2部分：辐射发射-TEM细胞和宽带测量
TEM细胞的方法，
和SAE J1752-3标准，
从集成电路-TEM测量辐射发射/
宽带TEM （ GTEM ）细胞的方法。
2. V
DD
= 3 V ，T
A
= 25 ° C，F
OSC
= 16兆赫（水晶），F
公共汽车
= 25 MHz的
3.根据IEC 61967-2标准的附录D规定，
的辐射发射-TEM细胞和宽带测量
TEM细胞的方法，
和SAE J1752-3标准的附录D ，
从综合辐射发射的测量
电路- TEM /宽带TEM （ GTEM ）细胞的方法。
5.2.7设计时考虑到辐射
要查找应用笔记提供指导设计系统，以尽量减少
从辐射干扰：
1.进入
http://www.freescale.com 。
2.执行一个搜索关键字“电磁兼容设计”。
5.2.8电容特性
表7.电容特性
符号
C
IN_A
C
IN_D
描述
输入电容：模拟引脚
输入电容：数字引脚
分钟。
—
—
马克斯。
7
7
单位
pF
pF
MCF51QM128超前信息数据手册，第2版， 05/2011 。
16
初步
飞思卡尔半导体公司
