MAX16126/MAX16127
抛负载/反向电压保护电路
直流 - 直流
变流器
IN
10nF
100I
IN
门
SRC
OUT
10F
GND
OUT
V
IN
100kI
0.1F
SHDN
MAX16127
TERM
R1
UVSET
R2
GND
旗
R3
OVSET
R4
图2.过压和欠压保护限制器配置（ MAX16127 ）
MOSFET功率耗散
第r
DS （ ON）
必须足够低，以限制MOSFET的
在正常工作期间的功耗。电源显示
（每个MOSFET） sipation正常操作期间可
使用该公式计算的：
P = I
负载
2
个R
DS （ ON）
其中P是消耗在每个MOSFET的功耗和
I
负载
是平均负载电流。
期间在开关模式中， MOSFET的故障条件
关闭，不消耗功率。限制器模式impos-
ES最坏情况下的功耗。平均功率
可以使用以下公式来计算：
P = I
负载
X （V
IN
- V
OUT
)
其中P是平均功率耗散在两个
MOSFET的，我
负载
是平均负载电流，V
IN
为
输入电压，V
OUT
是平均限电压
上的输出。在限幅模式中，输出电压是
锯齿波与由确定的特征
R
DS （ ON）
MOSFET的，输出负载电流，该
输出电容，所述MOSFET的栅极电荷
并在GATE电荷泵电流。
由于限制器模式存在高开关电流
当门被以限制性的周期的开始导通
（特别是当所述输出电容为高） ，它是
重要的是要确保电路不违反高峰
MOSFET的额定功率。检查脉冲电源
收视率在MOSFET数据表。
MOSFET栅极保护
为了保护MOSFET的栅极，连接一个齐纳
从栅极到源极钳位二极管。阴极
连接到栅极和阳极连接到
源。选择齐纳钳位电压为10V以上
和下面MOSFET的V
GS
最大额定值。
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
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