MAX16126/MAX16127
抛负载/反向电压保护电路
直流 - 直流
变流器
IN
OUT
GND
V
IN
10nF
100I
10F
门
IN
100kI
SHDN
0.1F
TERM
R1
UVSET
R2
OVSET
R3
SRC
OUT
MAX16126
旗
GND
图1.过压和欠压窗口检测器电路（ MAX16126 ）
该MAX16127工作在限幅模式下，使用另行
率电阻分压器来设置欠压和过
电压阈值。过电压分压器的顶部
连接到OUT和欠电压分压器的顶部
连接到TERM （见
图2）。
使用下面的公式来计算R 4 ：
设置过压和欠压
阈值（ MAX16127 ）
其中R
TOTAL_UV
= R1 + R2 ，V
TH
为1.225V UVSET
瑞星阈值，V
TH- HYS
是迟滞和V
UV
为
理想的欠压门限。
使用最接近的标准值电阻是少
比计算值。总电阻值越低，
tance消耗更多的电力，但是提供稍微好一点
准确度。
MOSFET的选择是至关重要的，设计一个合适的保护
电路。有几个因素必须考虑：
栅极电容，漏极至源极电压额定值，
导通电阻（R
DS （ ON）
），峰值功率耗散
能力和平均功耗。在
一般情况下，两个MOSFET应具有相同的部件号
误码率。对于尺寸受限的应用，双MOSFET
可以节省电路板面积。选择的漏极 - 源极电压
从而使MOSFET能够处理的最高电压是
可能会被施加到电路。栅极电容不
为关键的，但它并确定最大导通
和关断的时间。 MOSFET的更多的栅极电容
往往更多的响应速度很慢。
MOSFET选择
=
V
TH
×
R4
R
TOTAL_OV
V
OV
其中R
TOTAL_UV
= R3 + R4 ，V
TH
为1.225V OVSET
上升阈值和V
OV
是所期望的过电压
门槛。 V的阈值下降
TH
为5％以下的
上升阈值。
类似地，为了计算R1和R2的值：
R
=
(V
TH
- V
TH- HYS
)
×
TOTAL_UV
R2
V
UV
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
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