NTP13N10
首选设备
功率MOSFET
13 A， 100 V， N沟道
增强型TO- 220
特点
源极到漏极二极管的恢复时间等同于离散
快恢复二极管
较高的雪崩能量
I
DSS
和R
DS （ ON）
指定高温
无铅包装是否可用
典型应用
V
DSS
100 V
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
典型值
165毫欧@ 10 V
N沟道
D
I
D
最大
13 A
PWM电机控制
电源
转换器
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至源极电压（R
GS
= 1.0 MΩ)
栅极 - 源极电压
连续
不重复（T
p
v10
女士）
漏电流
连续@ T
A
25°C
连续@ T
A
100°C
脉冲（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
单漏 - 源雪崩能量
起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 50伏，V
GS
= 10 VDC ，
I
L
（PK ）= 13 A，L = 1.0 mH的，R
G
= 25
Ω)
热阻
结到外壳
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
D
价值
100
100
"20
"30
ADC
13
8.0
39
64.7
0.43
55
to
+175
W
W / ℃，
°C
mJ
85
° C / W
°C
13N10
A
Y
WW
1
2
3
4
单位
VDC
VDC
VDC
G
S
标记图
＆放大器;引脚分配
4
漏
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
E
AS
TO220AB
CASE 221A
风格5
1
门
13N10
AYWW
3
来源
2
漏
R
θJC
T
L
2.32
260
=器件代码
=大会地点
=年
=工作周
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.脉冲测试：脉冲宽度= 10
女士，
占空比= 2 ％ 。
订购信息
设备
NTP13N10
NTP13N10G
包
TO220AB
TO220AB
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年8月，
启示录6
1
出版订单号：
NTP13N10/D
NTP13N10
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
V
GS
= 10 V
9V
8V
7.5 V
6V
5.5 V
5V
4.5 V
0
8
9
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
10
7V
6.5 V
T
J
= 25°C
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
V
DS
≥
10 V
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
0
T
J
=
55°C
10
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
图2.传输特性
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
V
GS
= 10 V
0.2
T
J
= 25°C
0.175
T
J
= 100°C
0.15
V
GS
= 10 V
V
GS
= 15 V
T
J
= 25°C
T
J
=
55°C
0.125
0
2
4
6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
26
0.1
0
2
4
6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
图3.导通电阻与漏电流
和温度
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（标准化）
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
50 25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
175
I
D
= 6.5 A
V
GS
= 10 V
10,000
V
GS
= 0 V
I
DSS
，漏电（ NA）
1000
T
J
= 150°C
100
T
J
= 100°C
10
20
30
60
70
80
90 100
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
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3
NTP13N10
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（ΔT）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
1000
800
600
C
RSS
400
200
0
10
C
RSS
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
25
C
国际空间站
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
V
DS
= 0 V
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
C
OSS
栅极 - 源极或漏极至源极电压
（伏）
图7.电容变化
http://onsemi.com
4
QQ：2880707522 复制
