NB3N502
14 MHz至190 MHz的PLL
时钟乘法器
描述
该NB3N502是产生一个低抖动时钟乘法器装置，
TTL / CMOS电平输出时钟，它是一个精确的多
外部输入的参考时钟信号源。该装置是成本
高效的替代晶体振荡器中常用
电子系统。它接受一个标准的基本模式晶体或
外部参考时钟信号。锁相回路（PLL）的设计
技术被用来产生一个输出时钟高达190兆赫带
占空比为50％ 。该NB3N502可以通过两个选择被编程
输入（ S0 ， S1 ），以六一提供输出时钟（ CLKOUT ）
不同倍数的输入频率源的，并在同一时间
输出输入对齐参考时钟信号REF 。
特点
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标记图
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
3N502
A
L
Y
W
G
8
3N502
ALYW
G
1
=具体设备守则
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
时钟输出频率高达190 MHz的
经营范围： V
DD
= 3 V至5.5 V
15 ps的一个西格玛（ RMS）低抖动输出
零PPM时钟倍频错误
45 ％ - 55 ％占空比
25毫安TTL电平驱动输出
27兆赫 - 5水晶基准电压输入范围
50兆赫 - 2个输入时钟频率范围
采用8引脚SOIC封装或裸片形式
整个工业温度范围-40 ° C至85°C
这是一个Pb - Free设备
V
DD
订购信息
设备
NB3N502DG
NB3N502DR2G
包
SOIC8
（无铅）
SOIC8
（无铅）
航运
98单位/铁
2500 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
参考
时钟
TTL /
CMOS
产量
REF
X1/CLK
X2
水晶
振荡器
倍增器
SELECT
÷
P
相
探测器
收费
泵
VCO
TTL /
CMOS
产量
CLKOUT
÷
M
S1 S0
GND
反馈
图1. NB3N502逻辑图
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年3月 - 修订版0
出版订单号：
NB3N502/D
NB3N502
X1/CLK
V
DD
GND
REF
1
8
7
6
5
X2
2
3
4
S1
S0
CLKOUT
图2.引脚配置
（ TOP VIEW ）
表1.时钟乘法器选择表
S1*
L
L
M
M
H
H
S0**
L
H
L
H
L
H
倍增器
2X
5X
3X
3.33X
4X
2.5X
L = GND
H = V
DD
M = OPEN （未连接）
*引脚S1默认为M时，悬空
**引脚S0默认为H而悬空
表2.输出频率示例
输出频率（ MHz）的
输入频率（MHz）
S1, S0
20
10
0 ,0
25
10
1, 1
33.3
10
M, 1
48
16
M, 0
50
20
1, 1
54
13.5
1, 0
64
16
1, 0
66.66
20
M, 1
75
15
0, 1
100
20
0, 1
108
27
1, 0
120
24
0, 1
135
27
0, 1
表3.引脚说明
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
X1/CLK
V
DD
GND
REF
CLKOUT
S0
S1
X2
I / O
输入
电源
电源
CMOS / TTL输出
CMOS / TTL输出
CMOS / TTL输入
三电平输入
晶振输入
描述
晶振或外部参考时钟输入
正电源电压（ 3 V至5.5 V ）
0 V接地。
缓冲晶振时钟输出
时钟输出
乘数选择引脚 - 连接到V
DD
或GND 。内部上拉电阻。
乘数选择引脚 - 连接到V
DD
， GND或浮动，以M。
晶振输入 - 不要连接提供了一个外部时钟参考时
表4. ATTRIBUTES
特征
ESD保护
人体模型
机器型号
价值
> 8千伏
> 600 V
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
6700设备
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC标准EIA / JESD78 IC闭锁测试
氧指数：28 34
1。有关其他湿度敏感的信息，请参考应用笔记AND8003 / D 。
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2
NB3N502
表5.最大额定值
符号
V
DD
V
I
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
参数
正电源。
输入电压
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
0 LFPM
500 LFPM
（注1 ）
SOIC8
SOIC8
SOIC8
条件1
GND = 0 V
条件2
等级
7
GND - 0.5 V
I
=
V
DD
+ 0.5
-40至+85
-65到+150
190
130
41至44
单位
V
V
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1. JEDEC标准多层电路板 - 2S2P （ 2信号， 2个电源） 。
表6.直流特性
(V
DD
= 3 V至5.5 V ，除非另有说明，GND = 0V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C ） （注2 ）
符号
I
DD
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IM
C
in
I
SC
特征
电源电流
（卸载CLKOUT工作在100 MHz的20 MHz晶振）
输出高电压
输出低电压
I
OH
= -25毫安TTL高
I
OL
= 25毫安
(V
DD
/ 2) + 1
V
DD
/ 2
V
DD
/ 2
V
DD
– 0.5
0.5
V
DD
÷
2
4
±
70
(V
DD
/ 2) 1
2.4
0.4
民
典型值
20
最大
单位
mA
V
V
V
V
V
V
V
pF
mA
输入高电压，只有CLK （引脚1 ）
输入电压低，只有CLK （引脚1 ）
输入高电压， S0 ， S1
输入电压低， S0 ， S1
S1的输入电平，当打开（输入中点）
输入电容， S0 ， S1
输出短路电流
2.参数由表征和设计来保证，而不是在生产测试。
表7. AC特性
(V
DD
= 3 V至5.5 V ，除非另有说明，GND = 0V ，T
A
= -40 ° C至+ 85° C） （注3 ）
符号
f
XTAL
f
CLK
f
OUT
晶振输入频率
时钟输入频率
输出频率范围
V
DD
= 4.5 5.5 V （ 5.0 V
±
10%)
V
DD
= 3.0 3.6 V （ 3.3 V
±
10%)
时钟输出占空比为1.5 V至190兆赫
周期抖动（RMS ， 1
σ)
总周期抖动（峰 - 峰）
输出上升/下降时间（0.8至2.0V / 2.0 V至0.8 V）的
特征
民
5
2
14
14
45
50
15
±40
1
典型值
最大
27
50
190
120
55
单位
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
%
ps
ps
ns
DC
t
抖动（ RMS）
t
抖动（峰到峰）
t
r
/t
f
3.参数由表征和设计来保证，而不是在生产测试。
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3
NB3N502
应用信息
高频CMOS / TTL振荡器
系列终端电阻建议
该NB3N502 ，随着低频基本
模式水晶，可以建立一个高频CMOS / TTL输出
振荡器。例如， 20MHz的晶体连接到所述
NB3N502与5X输出选择（S1 = L时， S0 = H）的
产生一个100兆赫的CMOS / TTL输出时钟。
外部元件
去耦说明
A 33
W
串联端接电阻器可以在使用
CLKOUT引脚。
晶体负载电容选型指南
为了从系统电源隔离NB3N502
供给，噪声去耦合是必需的。 0.01
mF
去耦电容必须连接V之间
DD
和
GND引脚2和3 ，推荐的地方
去耦电容尽可能接近到NB3N502
设备，以尽量减少引线电感。控制输入引脚
连接到器件引脚V
DD
或GND ，或在V
DD
和
GND飞机在黑板上。
总芯片上电容是每约12 pF的
销（C
IN1
和C
IN2
） 。并联谐振的基础模式
水晶应该被使用。
该器件晶振连接应包括垫
从X1 / CLK的小电容到地，从X2到
地面上。这些电容，C
L1
和C
L2
，用于调节所述
电路板的寄生电容相匹配的名义上
所需的晶体负载电容（C
负载
（水晶） ） 。
由于负载电容只能在这个增加
修整过程中，它保持寄生电容是很重要的
到最低限度使用很短的PCB走线（无孔）
晶体和器件之间。晶体负载电容，如果
需要的话，必须从各个引脚X1和X2的连接
到地面。晶体的负载电容（C
负载
（晶体））必须通过的总的负载电容进行匹配
振荡电路网，C
INX
, C
SX
和C
LX
，所看到的
晶体（见下面的图3和方程） 。
国内
TO DEVICE
R
G
C
LOAD1
= C
IN1
+ C
S1
+ C
L1
[关于X1 / CLK总电容]
C
LOAD2
= C
IN2
+ C
S2
+ C
L2
[ X2上的总电容]
C
IN1
[
C
IN2
[
12 pF的（典型值）内部电容]
C
S1
[
C
S2
[
5 pF的（典型值）外部PCB杂散电容]
C
LOAD1,2
= 2
S
C
负载
（晶）
C
L2
= C
LOAD2
C
IN2
C
S2
[ X2上的外部负载电容]
C
L1
= C
LOAD1
C
IN1
C
S1
[关于X1 / CLK外部负载电容]
C
IN2
12 pF的
C
IN1
12 pF的
X1/CLK
C
S1
C
S2
X2
例1 ：在PCB上平等的寄生电容
C
负载
（水晶） = 18 pF的（由晶振制造商指定）
C
LOAD1
= C
LOAD2
= 36 pF的
C
IN1
= C
IN2
= 12 pF的
C
S1
= C
S2
= 6 pF的
C
L1
= 36 - 12 - 6 = 18 pF的
C
L2
= 36 - 12 - 6 = 18 pF的
例2 ：在PCB走线X1不同的杂散电容/ CLK与X2
C
负载
（水晶） = 18 pF的
C
LOAD1
= C
LOAD2
= 36 pF的
C
IN1
= C
IN2
= 12 pF的
C
S1
= 4 pF的&
S2
= 8 pF的
C
L1
= 36 - 12 - 4 = 20 pF的
C
L2
= 36 - 12 - 8 = 16 pF的
C
L1
C
L2
水晶
图3.使用晶振作为参考时钟
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4
NB3N502
包装尺寸
SOIC - 8 NB
CASE 751-07
AH发行
A
8
5
X
B
1
4
S
0.25 (0.010)
M
Y
M
Y
G
C
Z
H
D
0.25 (0.010)
M
座位
飞机
K
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3，维A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
6. 751-01 THRU 751-06已经过时。 NEW
标准为751-07 。
MILLIMETERS
民
最大
4.80
5.00
3.80
4.00
1.35
1.75
0.33
0.51
1.27 BSC
0.10
0.25
0.19
0.25
0.40
1.27
0
_
8
_
0.25
0.50
5.80
6.20
英寸
民
最大
0.189
0.197
0.150
0.157
0.053
0.069
0.013
0.020
0.050 BSC
0.004
0.010
0.007
0.010
0.016
0.050
0
_
8
_
0.010
0.020
0.228
0.244
N
X 45
_
0.10 (0.004)
M
J
旋转Z Y
S
X
S
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
M
N
S
焊接足迹*
1.52
0.060
7.0
0.275
4.0
0.155
0.6
0.024
1.270
0.050
SCALE 6 ： 1
mm
英寸
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详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
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这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
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