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ZXTP25020CFH
20V ， SOT23 ， PNP中等功率晶体管
摘要
BV
首席执行官
> -20V
BV
ECO
> -7V
I
C（ CONT ）
= -4A
R
CE （ SAT ）
= 34m
V
CE （ SAT ）
< -55mV @ 1A
P
D
= 1.25W
补充部分号码ZXTN25020CFH
描述
先进过程能力和封装设计已被用来
最大限度地发挥这一小尺寸的功率处理能力和性能
晶体管。紧凑的尺寸和该装置的收视率使其非常
适合应用在空间是十分宝贵的。
C
B
特点
高功耗SOT23封装
峰值电流
低饱和电压
7V反向阻断电压
E
应用
MOSFET和IGBT栅极驱动
直流 - 直流转换器
电机驱动
高端驱动器
E
C
B
引脚 - 顶视图
胶带宽度
(mm)
8
QUANTITY每卷
3,000
订购信息
设备
ZXTP25020CFHTA
带尺寸
（英寸）
7
器件标识
1B2
第1期 - 2006年5月
捷特科PLC 2006
1
www.zetex.com
ZXTP25020CFH
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压（反向阻断）
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(b)
峰值脉冲电流
基极电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(d)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
极限
-25
-20
-7
-7
-4
-10
-1
0.73
5.84
1.05
8.4
1.25
9.6
1.81
14.5
-55到150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
极限
171
119
100
69
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（二）安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
（三）安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
（ d）由于上述（c）在t<5secs测定。
第1期 - 2006年5月
捷特科PLC 2006
2
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ZXTP25020CFH
特征
第1期 - 2006年5月
捷特科PLC 2006
3
www.zetex.com
ZXTP25020CFH
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压（基本开）
发射极 - 基极击穿
电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
分钟。
-25
-20
-7
-7
-7
典型值。
-50
-35
-8.2
-8.0
-8.8
<-1
<-1
-43
-70
-120
-150
基射极饱和
电压
基射极导通电压
静态正向电流
传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
200
150
85
-930
-810
350
250
140
40
跃迁频率
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
285
32.4
38.4
49.2
168
55
300秒;占空比
2%.
马克斯。
单位条件
V
V
V
V
V
I
C
= -100 A
I
C
= -10mA
(*)
I
E
= -100 A
I
E
= -100 A
(*)
R
BC
＆ LT ; 10K
或0.25 < V
BC
< -0.25V
I
E
= -100 A
(*)
V
CB
= -20V
V
CB
= -20V ，T
AMB
= 100°C
V
EB
= -5.6V
I
C
= -1A ，我
B
= -100mA
(*)
I
C
= -1A ，我
B
= -20mA
(*)
I
C
= -2A ，我
B
= -40mA
(*)
I
C
= -4A ，我
B
= -200mA
(*)
I
C
= -4A ，我
B
= -200mA
(*)
I
C
= -4A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -10mA ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -1A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -4A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -10A ，V
CE
= -2V
(*)
兆赫我
C
= -50mA ，V
CE
= -10V
F = 100MHz的
发射极 - 集电极击穿BV
ECX
电压（反向阻断）
发射极 - 集电极击穿BV
ECO
电压（基本开）
集电极 - 基极截止
当前
I
CBO
-50
-20
-50
-55
-100
-170
-210
-1050
-900
500
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
发射极 - 基极截止电流I
EBO
集电极 - 发射极饱和
电压
V
CE （ SAT ）
40
pF
ns
ns
ns
ns
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
(*)
V
CC
= -15V.
I
C
= -750mA ，
I
B1
= I
B2
= -15mA
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
第1期 - 2006年5月
捷特科PLC 2006
4
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ZXTP25020CFH
典型特征
第1期 - 2006年5月
捷特科PLC 2006
5
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ZXTP25020CFH
20V ， SOT23 ， PNP中等功率晶体管
摘要
BV
首席执行官
> -20V
BV
ECO
> -7V
I
C（ CONT ）
= -4A
R
CE （ SAT ）
= 34m
V
CE （ SAT ）
< -55mV @ 1A
P
D
= 1.25W
补充部分号码ZXTN25020CFH
描述
先进过程能力和封装设计已被用来
最大限度地发挥这一小尺寸的功率处理能力和性能
晶体管。紧凑的尺寸和该装置的收视率使其非常
适合应用在空间是十分宝贵的。
C
B
特点
高功耗SOT23封装
峰值电流
低饱和电压
7V反向阻断电压
E
应用
MOSFET和IGBT栅极驱动
直流 - 直流转换器
电机驱动
高端驱动器
E
C
B
引脚 - 顶视图
胶带宽度
(mm)
8
QUANTITY每卷
3,000
订购信息
设备
ZXTP25020CFHTA
带尺寸
（英寸）
7
器件标识
1B2
第3期 - 2008年3月
捷特科PLC 2008
1
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ZXTP25020CFH
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压（反向阻断）
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(b)
峰值脉冲电流
基极电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
极限
-25
-20
-7
-7
-4
-10
-1
0.73
5.84
1.05
8.4
1.25
9.6
1.81
14.5
-55到150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
极限
171
119
100
69
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（二）安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
（三）安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
（ d）由于上述（c）在t<5secs测定。
第3期 - 2008年3月
捷特科PLC 2008
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ZXTP25020CFH
特征
第3期 - 2008年3月
捷特科PLC 2008
3
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ZXTP25020CFH
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压（基本开）
发射极 - 基极击穿
电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
分钟。
-25
-20
-7
-7
-7
典型值。
-50
-35
-8.2
-8.0
-8.8
<-1
<-1
-43
-70
-120
-150
基射极饱和
电压
基射极导通电压
静态正向电流
传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
200
150
85
-930
-810
350
250
140
40
跃迁频率
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
285
32.4
38.4
49.2
168
55
300秒;占空比
2%.
马克斯。
单位条件
V
V
V
V
V
I
C
= -100 A
I
C
= -10mA
(*)
I
E
= -100 A
I
E
= -100 A
(*)
R
BC
＆ LT ; 10K
或-0.25 < V
BC
< 0.25V
I
E
= -100 A
(*)
V
CB
= -20V
V
CB
= -20V ，T
AMB
= 100°C
V
EB
= -5.6V
I
C
= -1A ，我
B
= -100mA
(*)
I
C
= -1A ，我
B
= -20mA
(*)
I
C
= -2A ，我
B
= -40mA
(*)
I
C
= -4A ，我
B
= -200mA
(*)
I
C
= -4A ，我
B
= -200mA
(*)
I
C
= -4A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -10mA ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -1A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -4A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -10A ，V
CE
= -2V
(*)
兆赫我
C
= -50mA ，V
CE
= -10V
F = 100MHz的
发射极 - 集电极击穿BV
ECX
电压（反向阻断）
发射极 - 集电极击穿BV
ECO
电压（基本开）
集电极 - 基极截止
当前
I
CBO
-50
-20
-50
-55
-100
-170
-210
-1050
-900
500
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
发射极 - 基极截止电流I
EBO
集电极 - 发射极饱和V
CE （ SAT ）
电压
40
pF
ns
ns
ns
ns
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
(*)
V
CC
= -15V.
I
C
= -750mA ，
I
B1
= I
B2
= -15mA
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
第3期 - 2008年3月
捷特科PLC 2008
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ZXTP25020CFH
典型特征
第3期 - 2008年3月
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ZR35220
ZLF645S0H2864G
ZXM61P02F_04
ZRA245R01
ZPU100
ZB15-12-12S
ZXCM209LFTA
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ZXTP25140BFH
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全新原装正品/质量有保证
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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DIODES/美台
22+
32570
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全新原装正品/质量有保证
北京显周科技有限公司
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