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ZXTP25140BFH
140V , SOT23 , PNP中等功率晶体管
摘要
BV
( BR ) CEX
> -180V ; BV
( BR ) CEO
> -140V
BV
( BR ) ECO
> -7V ;
I
C( CONT )
= -1A
R
CE ( SAT )
= 180 m
P
D
= 1.25W
典型
V
CE ( SAT )
< -260mV @ 1A ;
描述
先进过程能力和封装设计已被用来
最大限度地发挥这一小尺寸的功率处理能力和性能
晶体管。紧凑的尺寸和该装置的收视率使其非常
适合应用在空间是十分宝贵的。
C
B
特点
高功耗SOT23封装
180V正向阻断电压
低饱和电压
E
应用
DC- DC转换器
高侧开关
订购信息
设备
ZXTP25140BFHTA
带尺寸
(英寸)
7
胶带宽度
8mm
单位数量
REEL
3,000
引脚 - 顶视图
器件标识
026
第1期 - 2006年3月
捷特科PLC 2006
1
www.zetex.com
ZXTP25140BFH
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压(正向阻断)
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压(反向阻断)
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(a)
峰值脉冲电流
功耗在
T
A
=25°C
(a)
线性降额因子
功耗在
T
A
=25°C
(b)
线性降额因子
功耗在
T
A
=25°C
(c)
线性降额因子
功耗在
T
A
=25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
CM
P
D
极限
-180
-180
-140
-7
-7
-1
-3
0.73
5.84
1.05
8.4
1.25
9.6
1.81
14.5
-55到150
单位
V
V
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
P
D
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
极限
171
119
100
69
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项:
(一)对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在
静止空气条件。
(二)安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
(三)安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
( d)由于上述(c)在t<5secs测定。
第1期 - 2006年3月
捷特科PLC 2006
2
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ZXTP25140BFH
特征
第1期 - 2006年3月
捷特科PLC 2006
3
www.zetex.com
ZXTP25140BFH
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
(正向阻断)
集电极 - 发射极
击穿电压(基
开)
发射极 - 集电极
击穿电压
(反向阻断)
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
集电极发射极截止
当前
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
符号
BV
CBO
BV
CEX ,
分钟。
-180
-180
典型值。
-205
-205
马克斯。
单位
V
V
条件
I
C
= -100 A
I
C
= -100 A,
R
BE
1k
or
-0.25V < V
BE
& LT ; 1V
I
C
= -10mA
(*)
I
E
= -100uA
(*)
I
E
= -100 A
V
CB
= -144V
V
CB
= -144V ,T
AMB
= 100°C
V
CE
= -144V;
R
BE
1K或
-0.25V < V
BE
& LT ; 1V
V
EB
= -5.6V
I
C
= -0.1A ,我
B
= -10mA
(*)
I
C
= -0.1A ,我
B
= -2mA
(*)
I
C
= -0.5A ,我
B
= -50mA
(*)
I
C
= -0.5A ,我
B
= -25mA
(*)
I
C
= -1A ,我
B
= -100mA
(*)
I
C
= -1A ,我
B
= -100mA
(*)
I
C
= -1A ,V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -10mA ,V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -0.1A ,V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -1A ,V
CE
= -2V
(*)
兆赫
pF
ns
ns
2%.
BV
首席执行官
-140
-160
V
BV
ECO
-7
-8.5
V
BV
EBO
I
CBO
I
CEX
-7
-8.2
<-1
-
-50
-20
-100
V
nA
A
nA
I
EBO
V
CE ( SAT )
<-1
-40
-110
-90
-170
-180
-50
-50
-135
-110
-230
-260
-950
-900
300
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
基射极饱和
电压
基射极导通
电压
静态正向电流
传输比
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE
100
100
20
-850
-800
200
190
30
75
10
102
854
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
(上)
t
(关闭)
I
C
= -10mA ,V
CE
= -20V
F = 20MHz的
V
CB
= -20V , F = 1MHz的
(*)
V
CC
= -20V 。我
C
= -100mA ,
I
B1
= I
B2
= -10mA
注意事项:
(*)的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
300秒;占空比
第1期 - 2006年3月
捷特科PLC 2006
4
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ZXTP25140BFH
典型特征
第1期 - 2006年3月
捷特科PLC 2006
5
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ZXTP25140BFH
140V , SOT23 , PNP中等功率晶体管
摘要
BV
( BR ) CEX
> -180V ; BV
( BR ) CEO
> -140V
BV
( BR ) ECO
> -7V ;
I
C( CONT )
= -1A
R
CE ( SAT )
= 180 m
P
D
= 1.25W
典型
V
CE ( SAT )
< -260mV @ 1A ;
描述
先进过程能力和封装设计已被用来
最大限度地发挥这一小尺寸的功率处理能力和性能
晶体管。紧凑的尺寸和该装置的收视率使其非常
适合应用在空间是十分宝贵的。
C
B
特点
高功耗SOT23封装
180V正向阻断电压
低饱和电压
E
应用
DC- DC转换器
高侧开关
订购信息
设备
ZXTP25140BFHTA
带尺寸
(英寸)
7
胶带宽度
8mm
单位数量
REEL
3,000
引脚 - 顶视图
器件标识
026
第1期 - 2006年3月
捷特科PLC 2006
1
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ZXTP25140BFH
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压(正向阻断)
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压(反向阻断)
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(a)
峰值脉冲电流
功耗在
T
A
=25°C
(a)
线性降额因子
功耗在
T
A
=25°C
(b)
线性降额因子
功耗在
T
A
=25°C
(c)
线性降额因子
功耗在
T
A
=25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
CM
P
D
极限
-180
-180
-140
-7
-7
-1
-3
0.73
5.84
1.05
8.4
1.25
9.6
1.81
14.5
-55到150
单位
V
V
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
P
D
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
极限
171
119
100
69
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项:
(一)对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在
静止空气条件。
(二)安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
(三)安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
( d)由于上述(c)在t<5secs测定。
第1期 - 2006年3月
捷特科PLC 2006
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ZXTP25140BFH
特征
第1期 - 2006年3月
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ZXTP25140BFH
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
(正向阻断)
集电极 - 发射极
击穿电压(基
开)
发射极 - 集电极
击穿电压
(反向阻断)
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
集电极发射极截止
当前
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
符号
BV
CBO
BV
CEX ,
分钟。
-180
-180
典型值。
-205
-205
马克斯。
单位
V
V
条件
I
C
= -100 A
I
C
= -100 A,
R
BE
1k
or
-0.25V < V
BE
& LT ; 1V
I
C
= -10mA
(*)
I
E
= -100uA
(*)
I
E
= -100 A
V
CB
= -144V
V
CB
= -144V ,T
AMB
= 100°C
V
CE
= -144V;
R
BE
1K或
-0.25V < V
BE
& LT ; 1V
V
EB
= -5.6V
I
C
= -0.1A ,我
B
= -10mA
(*)
I
C
= -0.1A ,我
B
= -2mA
(*)
I
C
= -0.5A ,我
B
= -50mA
(*)
I
C
= -0.5A ,我
B
= -25mA
(*)
I
C
= -1A ,我
B
= -100mA
(*)
I
C
= -1A ,我
B
= -100mA
(*)
I
C
= -1A ,V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -10mA ,V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -0.1A ,V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -1A ,V
CE
= -2V
(*)
兆赫
pF
ns
ns
2%.
BV
首席执行官
-140
-160
V
BV
ECO
-7
-8.5
V
BV
EBO
I
CBO
I
CEX
-7
-8.2
<-1
-
-50
-20
-100
V
nA
A
nA
I
EBO
V
CE ( SAT )
<-1
-40
-110
-90
-170
-180
-50
-50
-135
-110
-230
-260
-950
-900
300
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
基射极饱和
电压
基射极导通
电压
静态正向电流
传输比
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE
100
100
20
-850
-800
200
190
30
75
10
102
854
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
(上)
t
(关闭)
I
C
= -10mA ,V
CE
= -20V
F = 20MHz的
V
CB
= -20V , F = 1MHz的
(*)
V
CC
= -20V 。我
C
= -100mA ,
I
B1
= I
B2
= -10mA
注意事项:
(*)的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
300秒;占空比
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捷特科PLC 2006
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典型特征
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ZXTP25140BFH
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1184826453 复制

电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
ZXTP25140BFH
ZETEX
15+
99000
SOT23
产品优势可售样板
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
ZXTP25140BFH
DIODES/美台
22+
32570
SOT23
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
ZXTP25140BFH
DIODES/美台
22+
32570
SOT23
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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