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ZXMN6A25DN8
双路60V SO8 N沟道增强型MOSFET
摘要
V
( BR ) DSS
60
R
DS ( ON)
( )
0.050 @ V
GS
= 10V
0.070 @ V
GS
= 4.5V
I
D
(A)
5
4.2
描述
从Zetex的新一代沟道MOSFET
采用了独特的结构相结合的好处
低导通电阻和快速开关,使其成为理想
高效率的电源管理应用。
D1
D2
G1
S1
G2
S2
特点
低导通电阻
开关速度快
低栅极驱动器
低调SO8封装
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
电机控制
S1
G1
S2
G2
胶带宽度
(mm)
12
12
QUANTITY
每卷
500
2500
D1
D1
D2
D2
引脚输出 - 顶视图
订购信息
设备
ZXMN6A25DN8TA
ZXMN6A25DN8TC
REEL
(英寸)
7
13
器件标识
ZXMN
6A25D
第4期 - 2006年11月
捷特科PLC 2006
1
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ZXMN6A25DN8
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
=25°C
(二) (四)
@V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
=70°C
(二) (四)
@V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
=25°C
(一) (四)
漏电流脉冲
(c)
连续源电流(体二极管)
(b)
脉冲源电流(体二极管)
(c)
在T功耗
AMB
=25°C
(一) (四)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(一) (五)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(二) (四)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
:T
英镑
P
D
P
D
I
DM
I
S
I
SM
P
D
I
D
符号
V
DSS
V
GS
极限
60
20
5
4
3.8
24
3.4
24
1.25
10
1.8
14
2.1
17
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(一) (四)
结到环境
(一) (五)
结到环境
(二) (四)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
极限
100
70
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项:
(一)对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在静止空气中
条件。
( b)对设备表面安装在t 10秒测得的FR4 PCB 。
(三)重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB , D = 0.02 ,脉冲宽度= 300秒 - 脉冲宽度有限的最高结
温度。
( d)对于以一种活性模具的双设备。
( e)对于与在相等功率两种活性模具运行的装置。
第4期 - 2006年11月
捷特科PLC 2006
2
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ZXMN6A25DN8
典型特征
第4期 - 2006年11月
捷特科PLC 2006
3
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ZXMN6A25DN8
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(*)
正向跨导
(*)()
动态
()
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
() ()
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(*)
反向恢复时间
()
反向恢复电荷
()
V
SD
t
rr
Q
rr
0.85
22.0
21.4
0.95
V
ns
nC
T
J
=25°C,
I
S
=5.5A,V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C,I
F
=2.2A,
的di / dt = 100A / S
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
3.8
4.0
26.2
10.6
11.0
20.4
4.1
5.1
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
=30V,V
GS
=5V,
I
D
=4.5A
V
DS
=30V,V
GS
=10V,
I
D
=4.5A
V
DD
= 30V ,我
D
=1A
RG6.0 ,V
GS
=10V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
1063
104
64
pF
pF
pF
V
DS
=30V,
V
GS
=0V,f=1MHz
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
fs
10.2
1.0
0.050
0.070
S
60
1.0
100
V
mA
nA
V
I
D
= 250 A,V
GS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= 250 A,V
DS
= V
GS
V
GS
= 10V ,我
D
=3.6A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=3A
V
DS
=15V,I
D
=4.5A
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
注意事项:
2% .
(*)的测量脉冲条件下进行。宽= 300秒。占空比
( )的开关特性是独立的工作结温。
( )为设计辅助而已,不受生产测试。
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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