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ZXTP2014G
140V PNP中功率低饱和晶体管
采用SOT223
摘要
BV
首席执行官
= -140V ，R
SAT
= 92米;我
C
= -4A
描述
打包在SOT223外形这个新的低饱和140V PNP晶体管
提供极低的导通损耗，非常适合在DC-DC电路中使用
和各种驱动和电源管理功能。
特点
4安培连续电流
高达10安培的峰值电流
极低的饱和电压
SOT223
应用
电机驱动
线路交换
高边开关
用户线路接口卡（ SLIC ）
订购信息
设备
ZXTP2014GTA
ZXTP2014GTC
REEL
SIZE
7”
13"
TAPE
宽度
12mm
压花
单位数量
REEL
1000台
4000台
引脚
器件标识
ZXTP
2014
顶视图
第1期 - 2005年6月
1
ZXTP2014G
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(a)
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
(b)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
CM
P
D
P
D
极限
-180
-140
-7
-4
-10
3.0
24
1.6
12.8
-55到150
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
JA
R
JA
价值
42
78
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在52毫米X 52毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件。
（二）对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件。
第1期 - 2005年6月
2
ZXTP2014G
特征
第1期 - 2005年6月
3
ZXTP2014G
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CER
1K
I
EBO
V
CE （ SAT ）
1
-40
-55
-85
-275
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
H
FE
100
100
45
跃迁频率
输出电容
开关时间
f
T
C
敖包
t
ON
t
关闭
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度
-940
-830
225
200
100
5
120
33
42
636
300秒;占空比
2%.
300
分钟。
-180
-180
-140
-7.0
典型值。
-200
-200
-160
-8.0
1
1
-20
-0.5
-20
-0.5
-10
-60
-80
-120
-360
-1040
-930
MAX 。单位条件
V
V
V
V
nA
A
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
=-100 A
I
C
= -1 ， RB 1K
I
C
=-10mA*
I
E
=-100 A
V
CB
=-150V
V
CB
= -150V ，T
AMB
=100 C
V
CB
=-150V
V
CB
= -150V ，T
AMB
=100 C
V
EB
=-6V
I
C
= -0.1A ，我
B
=-5mA*
I
C
= -0.5A ，我
B
=-50mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-100mA*
I
C
= -3A ，我
B
=-300mA*
I
C
= -3A ，我
B
=-300mA*
I
C
= -3A ，V
CE
=-5V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-5V*
I
C
= -1A ，V
CE
=-5V*
I
C
= -3A ，V
CE
=-5V*
I
C
= -10A ，V
CE
=-5V*
兆赫我
C
= -100mA ，V
CE
=-10V
f=50MHz
pF
ns
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的*
I
C
= -1A ，V
CC
=-50V,
I
B1
= -I
B2
=-100mA
第1期 - 2005年6月
4
ZXTP2014G
典型特征
第1期 - 2005年6月
5
ZXTP2014G
140V PNP中功率低饱和晶体管
采用SOT223
摘要
BV
首席执行官
= -140V ，R
SAT
= 92米;我
C
= -4A
描述
打包在SOT223外形这个新的低饱和140V PNP晶体管
提供极低的导通损耗，非常适合在DC-DC电路中使用
和各种驱动和电源管理功能。
特点
4安培连续电流
高达10安培的峰值电流
极低的饱和电压
SOT223
应用
电机驱动
线路交换
高边开关
用户线路接口卡（ SLIC ）
订购信息
设备
ZXTP2014GTA
ZXTP2014GTC
REEL
SIZE
7”
13"
TAPE
宽度
12mm
压花
单位数量
REEL
1000台
4000台
引脚
器件标识
ZXTP
2014
顶视图
第1期 - 2005年6月
1
ZXTP2014G
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(a)
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
(b)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
CM
P
D
P
D
极限
-180
-140
-7
-4
-10
3.0
24
1.6
12.8
-55到150
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
JA
R
JA
价值
42
78
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在52毫米X 52毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件。
（二）对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件。
第1期 - 2005年6月
2
ZXTP2014G
特征
第1期 - 2005年6月
3
ZXTP2014G
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CER
1K
I
EBO
V
CE （ SAT ）
1
-40
-55
-85
-275
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
H
FE
100
100
45
跃迁频率
输出电容
开关时间
f
T
C
敖包
t
ON
t
关闭
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度
-940
-830
225
200
100
5
120
33
42
636
300秒;占空比
2%.
300
分钟。
-180
-180
-140
-7.0
典型值。
-200
-200
-160
-8.0
1
1
-20
-0.5
-20
-0.5
-10
-60
-80
-120
-360
-1040
-930
MAX 。单位条件
V
V
V
V
nA
A
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
=-100 A
I
C
= -1 ， RB 1K
I
C
=-10mA*
I
E
=-100 A
V
CB
=-150V
V
CB
= -150V ，T
AMB
=100 C
V
CB
=-150V
V
CB
= -150V ，T
AMB
=100 C
V
EB
=-6V
I
C
= -0.1A ，我
B
=-5mA*
I
C
= -0.5A ，我
B
=-50mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-100mA*
I
C
= -3A ，我
B
=-300mA*
I
C
= -3A ，我
B
=-300mA*
I
C
= -3A ，V
CE
=-5V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-5V*
I
C
= -1A ，V
CE
=-5V*
I
C
= -3A ，V
CE
=-5V*
I
C
= -10A ，V
CE
=-5V*
兆赫我
C
= -100mA ，V
CE
=-10V
f=50MHz
pF
ns
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的*
I
C
= -1A ，V
CC
=-50V,
I
B1
= -I
B2
=-100mA
第1期 - 2005年6月
4
ZXTP2014G
典型特征
第1期 - 2005年6月
5
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联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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全新原装正品/质量有保证
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