ZXM66P03N8
30V P沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= -30V ;
DS （ ON）
=0.025 ; I
D
=-7.9A
描述
这种新一代的Zetex的高密度的MOSFET采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，功率
管理应用程序。
特点
SO8
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXM66P03N8TA
ZXM66P03N8TC
带尺寸
7”
13”
胶带宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
2 1
500台
2500台
S
S
S
D
D
D
3
器件标识
ZXM
4
66P03
顶视图
第1期 - 2006年1月
1
半导体
5
6
7
8
ZXM66P03N8
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流V GS = -10V ; T A = 25°C （B ）
V GS = -10V ; T A = 70 ° C（ B）
V GS = -10V ; T A = 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T A功率耗散= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T A = 25 ° C功耗（二）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V DSS
V GS
ID
极限
-30
±20
-7.9
-6.3
-6.25
-28
-4.1
-28
1.56
12.5
2.5
20
-55到+150
单位
V
V
A
我DM
IS
我SM
PD
PD
T J ： T英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
80
50
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05 ，脉冲宽度10秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。
第1期 - 2006年1月
半导体
2
ZXM66P03N8
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
电阻（1）
正向跨导（1）（ 3）
动态（ 3 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关电源（2）（ 3）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V SD
吨RR
Q RR
35
39.9
-0.95 V
ns
nC
T J = 25 ° C， I S = -5.6A ，
V GS = 0V
T J = 25 ° C， I F = -5.6A ，
的di / dt = 100A / μs的
吨D（上）
tr
吨D（关闭）
tf
Qg
Qg
Q GS
Q GD
7.6
16.3
94.6
39.6
36
62.5
4.9
19.6
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V DS = -15V ，V GS = -10V
I
D
=-5.6A
V DS = -15V ，V GS = -5V
I
D
=-5.6A
V DD = -15V ， I D = -5.6A
R G = 6.2Ω ，V GS = -10V
国际空间站
OSS
RSS
1979
743
279
pF
pF
pF
V DS = -25 V， V GS = 0V ，
f=1MHz
V（ BR ） DSS
I DSS
我GSS
V GS （ TH）
R DS （ ON）
克FS
14.4
-1.0
-30
-1
-100
V
A
nA
V
0.025
0.035
S
I D = -250μA ，V GS = 0V
V DS = -24V ，V GS = 0V
V GS = ± 20V ，V DS = 0V
I = -250μA ，V DS =
D
V GS
V GS = -10V ， I D = -5.6A
V GS = -4.5V ， I D = -2.8A
V DS = -15V ， I D = -5.6A
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤2%
.
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2006年1月
3
半导体
ZXM66P03N8
包装尺寸
暗淡
单位为毫米
民
A
B
C
D
E
F
G
J
K
L
4.80
最大
4.98
英寸
民
0.189
最大
0.196
1.27 BSC
0.53 REF
0.36
3.81
1.35
0.10
5.80
0°
0.41
0.46
3.99
1.75
0.25
6.20
8°
1.27
0.05 BSC
0.02 REF
0.014
0.15
0.05
0.004
0.23
0°
0.016
0.018
0.157
0.07
0.010
0.24
8°
0.050
捷特科PLC 2006
欧洲
捷特科有限公司
Streitfeldstrae 19
D- 81673慕尼黑
德国
筿： （ 49 ） 89 45 49 49 0
传真： （ 49 ） 89 45 49 49 49
europe.sales@zetex.com
美洲
Zetex的公司
700退伍军人纪念高速公路
Hauppauge的，纽约州11788
美国
电话： （ 1 ） 631 360 2222
传真：（1） 631 360 8222
usa.sales@zetex.com
亚太地区
Zetex公司（亚洲）有限公司
3701-04都会广场第一
兴芳路葵芳
香港
电话： （ 852 ） 26100 611
传真： （ 852 ） 24250 494
asia.sales@zetex.com
公司总部
捷特科PLC
Zetex的科技园
Chadderton ，奥尔德姆， OL9 9LL
英国
电话（ 44 ） 161 622 4444
传真： （ 44 ） 161 622 4446
hq@zetex.com
国际售楼处参观
www.zetex.com/offices
Zetex的产品销往世界各地。有关详细信息，请参阅
www.zetex.com/salesnetwork
本出版物发行大纲提供信息，仅这（除非同意由本公司书面） ，不得使用，应用或转载
任何顺序或合同或任何目的或形式的部分被视为与相关的产品或服务的表示。公司
保留不另行通知，以更改规格，设计，价格或供应任何产品或服务的条件的权利。
第1期 - 2006年1月
半导体
4
ZXM66P03N8
30V P沟道增强型MOSFET
摘要
（ BR ） DSS
= -30V ;
DS （ ON）
=0.025
D
=-7.9A
描述
这种新一代的Zetex的高密度的MOSFET采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，功率
管理应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
SO8
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
2 1
S
S
D
D
D
订购信息
设备
ZXM66P03N8TA
ZXM66P03N8TC
带尺寸
7”
13”
胶带宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
500台
2500台
S
3
4
顶视图
器件标识
ZXM6
6N03
暂定发行A - 2001年5月
5
6
7
8
ZXM66P03N8
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流V
GS
= -10V ;牛逼
A
=25°C(b)
V
GS
= -10V ;牛逼
A
=70°C(b)
V
GS
= -10V ;牛逼
A
=25°C(a)
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
-30
±20
-7.9
-6.3
-6.25
-28
-4.1
-28
1.56
12.5
2.5
20
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
80
50
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05 ，脉冲宽度10秒 - 脉冲宽度有限的最大
结温。
暂定发行A - 2001年5月
ZXM66P03N8
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通电阻
(1)
正向跨导（1）（ 3）
动态（ 3 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关电源（2）（ 3）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V
SD
t
rr
Q
rr
35
39.9
-0.95
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C，I
S
=-5.6A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
F
=-5.6A,
的di / dt = 100A / μs的
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
7.6
16.3
94.6
39.6
36
62.5
4.9
19.6
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
=-15V,V
GS
=-10V
I
D
=-5.6A
V
DS
=-15V,V
GS
=-5V
I
D
=-5.6A
V
DD
= -15V ，我
D
=-5.6A
R
G
=6.2, V
GS
=-10V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
1979
743
279
pF
pF
pF
V
DS
=-25 V, V
GS
=0V,
f=1MHz
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
14.4
-1.0
0.025
0.035
-30
-1
-100
V
A
nA
V
S
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I = -250μA ，V
DS
= V
GS
D
符号最小值。
典型值。
马克斯。
UNI条件。
T
V
GS
= -10V ，我
D
=-5.6A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2.8A
V
DS
=-15V,I
D
=-5.6A
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤2%
.
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
暂定发行A - 2001年5月
ZXM66P03N8
包装尺寸
暗淡
单位为毫米
民
A
B
C
D
E
F
G
J
K
L
4.80
最大
4.98
英寸
民
0.189
最大
0.196
1.27 BSC
0.53 REF
0.36
3.81
1.35
0.10
5.80
0°
0.41
0.46
3.99
1.75
0.25
6.20
8°
1.27
0.05 BSC
0.02 REF
0.014
0.15
0.05
0.004
0.23
0°
0.016
0.018
0.157
0.07
0.010
0.24
8°
0.050
Zetex的PLC 。
田新路， Chadderton ，奥尔德姆， OL9-8NP ，英国。
电话： （ 44 ） 161 622 4422 （销售） ， （ 44 ） 161 622 4444 （一般查询）
传真： （ 44 ） 161 622 4420
捷特科有限公司
Streitfeldstrae 19
D- 81673慕尼黑
德国
筿： （ 49 ） 89 45 49 49 0
传真： （ 49 ） 89 45 49 49 49
Zetex的公司
47商城车道， 4号机组
康马克NY 11725
美国
电话： （ 631 ） 543-7100
传真： （ 631 ） 864-7630
Zetex公司（亚洲）有限公司
3701-04都会广场第一
兴芳路，
葵芳，香港
电话： （ 852 ） 26100 611
传真： （ 852 ） 24250 494
这些是由支撑
代理商和分销商
主要国家的世界各地的
Zetex
PLC 2000
互联网http://www.zetex.com
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本出版物发行大纲提供信息，仅这（除非同意由本公司书面） ，不得使用，应用或复制的
的任何顺序或合同或任何目的或形式部分被视为与有关产品或服务的表示。本公司保留
的权利，恕不另行通知更改规格，设计，价格或供应任何产品或服务的条件。
暂定发行A - 2001年5月
QQ：2880707522 复制
