磁
场
传感器
ZMY20 ， ZMZ20
ZMY30 ， ZMZ30
包： E-线（ 4针）
1: +V
O
2: -V
B
3: -V
O
4: +V
B
V
O
- 输出电压V
B
- 电源电压
包： SOT223S （ 4针）
1: +V
O
2: -V
O
3: +V
B
4: -V
B
V
O
- 输出电压V
B
- 电源电压
特点
ZMZ20 / 30 （E -线4针）和ZMY20 / 30 （ SOT - 223 -S ）是极其敏感的磁
传感器采用的薄膜坡莫合金的磁致电阻效应
包： E- 4号线引脚和SOT - 223 -S
输出电压正比于磁场H
y
灵敏度的滞后的和抑制由辅助磁场调整
H
x
磁场垂直于芯片级都没有有效
绝对最大额定值
参数
电源电压ZMY20 / ZMZ20
电源电压ZMY30 / ZMZ30
总功耗
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
B
V
B
P
合计
T
AMB
T
英镑
12
15
120
-40到+150
-65到+150
单位
V
V
mW
°C
°C
第2页
ZMY20 / 30 ， 20/30 ZMZ
电气特性
（在T
AMB
= 25° C和H的
x
= 3千安/米，除非另有说明）
参数
电桥电阻
ZMY20/ZMZ20
ZMY30/ZMZ30
输出电压范围
ZMY20/ZMZ20
ZMY30/ZMZ30
开路灵敏度
ZMY20/ZMZ20
ZMY30/ZMZ30
输出电压迟滞
失调电压
工作频率
温度COEF网络cient
失调电压
温度COEF网络cient
电桥电阻
温度COEF网络cient
开路灵敏度
V
B
= 5 V
温度COEF网络cient
开路灵敏度
I
B
= 3毫安
符号
R
br
1.2
2.0
V
O
/V
B
16
12
S
3.7
2.0
V
OH
/V
B
V
关闭
/V
B
f
最大
TCV
关闭
TCR
br
TCS
V
-
-1.0
0
-3
-
-
4.7
3.0
-
-
-
-
0.3
-0.4
5.7
4.0
50
+1.0
1
+3
-
-
20
16
24
20
（毫伏/ V）/ （千安/米）没有干扰
场H
d
允许
V/V
mV / V的
兆赫
（μV/ V） / K的
%/K
%/K
T
AMB
=
-25...+125°C
T
AMB
=
-25...+125°C
T
AMB
=
-25...+125°C
TAMB =
-25...+125°C
H
y
≤
2千安/米
1.7
3.0
2.2
4.0
mV / V的
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
k
测试条件
TCS
I
-
-0.1
-
%/K
装置由一个代码上的装置的主体确定
ZMY20 / ZMZ20 ..... M20 ZMY30 / ZMZ30 M30 .....
订货信息：
ZMY20TA ..... 7"盘1000每卷组件
ZMY20TC ..... 13"盘4000每卷组件
ZMY30TA ..... 7"盘1000每卷组件
ZMY30TC ..... 13"盘4000每卷组件
ZMZ20 ...........散货箱（每箱2000组件）
ZMZ30 ...........散货箱（每箱2000组件）
第3页
ZMY20 / 30 ， 20/30 ZMZ
该传感器具有的H的辅助字段离开安全操作区域之后被重置
X
= 3千安/米。
第5页
ZMZ20
绝对最大额定值
参数
电源电压
总功耗
工作温度范围
符号
V
B
P
合计
T
AMB
极限
12
120
-40到+150
单位
V
mW
°C
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C和HX = 3kA的/米，除非另有说明）
参数
电桥电阻
输出电压范围
开路灵敏度
输出电压迟滞
失调电压
工作频率
偏移量的温度系数
电压
桥的温度系数
阻力
开放温度系数
电路的灵敏度
V
B
=5V
开放温度系数
电路的灵敏度
I
B
=3mA
TCS
I
-
-0.1
-
%/K
T
AMB
= -25至+ 125°C
Symbo
R
br
V
O
/V
B
S
V
OH
/V
B
V
关闭
/V
B
f
最大
TCV
关闭
TCR
br
TCS
V
分钟。
1.2
16
3.7
-
-1.0
0
-3
0.25
-0.25
典型值。
1.7
20
4.7
-
-
-
-
0.3
-0.3
0.35
-0.35
%/K
%/K
马克斯。
2.2
24
5.7
50
+1.0
1
+3
单位
k
mV / V的
（MV / V） / （KA / m）的无扰动场H
d
允许
V/V
mV / V的
兆赫
（μV/ V） / K的
T
AMB
= -25至+ 125°C
T
AMB
= -25至+ 125°C
T
AMB
= -25至+ 125°C
HY = 2KA /米
条件
第2期 - 2004年1月
半导体
2
ZMZ20
绝对最大额定值
参数
电源电压
总功耗
工作温度范围
符号
V
B
P
合计
T
AMB
极限
12
120
-40到+150
单位
V
mW
°C
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C和HX = 3kA的/米，除非另有说明）
参数
电桥电阻
输出电压范围
开路灵敏度
输出电压迟滞
失调电压
工作频率
偏移量的温度系数
电压
桥的温度系数
阻力
开放温度系数
电路的灵敏度
V
B
=5V
开放温度系数
电路的灵敏度
I
B
=3mA
TCS
I
-
-0.1
-
%/K
T
AMB
= -25至+ 125°C
Symbo
R
br
V
O
/V
B
S
V
OH
/V
B
V
关闭
/V
B
f
最大
TCV
关闭
TCR
br
TCS
V
分钟。
1.2
16
3.7
-
-1.0
0
-3
0.25
-0.25
典型值。
1.7
20
4.7
-
-
-
-
0.3
-0.3
0.35
-0.35
%/K
%/K
马克斯。
2.2
24
5.7
50
+1.0
1
+3
单位
k
mV / V的
（MV / V） / （KA / m）的无扰动场H
d
允许
V/V
mV / V的
兆赫
（μV/ V） / K的
T
AMB
= -25至+ 125°C
T
AMB
= -25至+ 125°C
T
AMB
= -25至+ 125°C
HY = 2KA /米
条件
第2期 - 2004年1月
半导体
2
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