添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符Z型号页 > 首字符Z的型号第27页 > ZXTN08400BFF
ZXTN08400BFF
400V , SOT23F , NPN型中功率高压晶体管
摘要
BV
CEX
> 450V
BV
首席执行官
> 400V
BV
ECO
> 6V
I
C( CONT )
= 0.5A
V
CE ( SAT )
< 175mV @ 500毫安
P
D
= 1.5W
补充部分号码ZXTP08400BFF
描述
这NPN晶体管设计用于要求高的应用
电压闭锁。该SOT23F封装引脚兼容
行业标准SOT23脚印,但提供放低姿态和更高
耗散的应用场合的功率密度是极其
重要性。
C
B
特点
高压
低饱和电压
薄型小尺寸封装
E
E
C
B
引脚 - 顶视图
胶带宽度
(mm)
8
QUANTITY
每卷
3000
应用
调制解调器
电信线路交换
订购信息
设备
ZXTN08400BFFTA
带尺寸
(英寸)
7
器件标识
1D5
第1期 - 2006年9月
捷特科PLC 2006
1
www.zetex.com
ZXTN08400BFF
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压(正向阻断)
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压(反向阻断)
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
峰值脉冲电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
极限
450
450
400
6
7
0.5
1
0.2
0.84
6.72
1.34
10.72
1.5
12.0
2.0
16.0
- 55 150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
极限
149
93
83
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项:
(一)对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在
静止空气条件。
(二)安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
(三)安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
( d)由于上述(c)在t<5secs测定。
第1期 - 2006年9月
捷特科PLC 2006
2
www.zetex.com
ZXTN08400BFF
典型特征
第1期 - 2006年9月
捷特科PLC 2006
3
www.zetex.com
ZXTN08400BFF
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压(正向阻断)
集电极 - 发射极击穿
电压(基本开)
发射极 - 集电极击穿
电压(反向阻断)
发射极 - 集电极击穿
电压(基本开)
发射极 - 基极击穿
电压
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止
当前
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
BV
CBO
BV
CEX
BV
首席执行官
BV
ECX
BV
ECO
BV
EBO
I
CBO
I
CEX
I
EBO
V
CE ( SAT )
分钟。
450
450
400
6
6
7
典型值。
550
550
500
8.0
8.5
8.1
<1
<1
<1
70
50
120
125
基射极饱和电压V
BE ( SAT )
基射极导通电压
V
BE(上)
90
100
10
跃迁频率
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
865
800
165
180
20
40
8
100
52
3122
240
300秒;占空比
2%.
MAX 。单位条件
V
V
V
V
V
V
50
20
100
50
85
70
170
175
950
900
nA
A
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
= 100 A
I
C
= 100 A,R
BE
< 1K
-1V < V
BE
< 0.25V
I
C
= 10毫安
(*)
I
E
= 100 A,R
BC
<或1K
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= 100 A,
I
E
= 100 A
V
CB
= 360V
V
CB
= 360V ,T
AMB
= 100°C
V
CE
= 360V ,R
BE
< 1K
-1V < V
BE
< 0.25V
V
EB
= 5.6V
I
C
= 20mA时,我
B
= 1毫安
(*)
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
(*)
I
C
= 300毫安,我
B
= 30毫安
(*)
I
C
= 500毫安,我
B
= 100毫安
(*)
I
C
= 500毫安,我
B
= 100毫安
(*)
I
C
= 500毫安,V
CE
= 10V
(*)
I
C
= 1mA时, V
CE
= 5V
(*)
300
I
C
= 50mA时V
CE
= 5V
(*)
I
C
= 500毫安,V
CE
= 10V
(*)
兆赫我
C
= 10毫安,V
CE
= 20V
F = 20MHz的
10
pF
ns
ns
ns
ns
V
CB
= 20V , F = 1MHz的
(*)
V
CC
= 100V.
I
C
= 100mA时
I
B1
= 10毫安,我
B2
= 20mA电流。
or
or
静态正向电流办理H
FE
注意事项:
(*)的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
第1期 - 2006年9月
捷特科PLC 2006
4
www.zetex.com
ZXTN08400BFF
典型特征
第1期 - 2006年9月
捷特科PLC 2006
5
www.zetex.com
ZXTN08400BFF
400V , SOT23F , NPN型中功率高压晶体管
摘要
BV
CEX
> 450V
BV
首席执行官
> 400V
BV
ECO
> 6V
I
C( CONT )
= 0.5A
V
CE ( SAT )
< 175mV @ 500毫安
P
D
= 1.5W
补充部分号码ZXTP08400BFF
描述
这NPN晶体管设计用于要求高的应用
电压闭锁。该SOT23F封装引脚兼容
行业标准SOT23脚印,但提供放低姿态和更高
耗散的应用场合的功率密度是极其
重要性。
C
B
特点
高压
低饱和电压
薄型小尺寸封装
E
E
C
B
引脚 - 顶视图
胶带宽度
(mm)
8
QUANTITY
每卷
3000
应用
调制解调器
电信线路交换
订购信息
设备
ZXTN08400BFFTA
带尺寸
(英寸)
7
器件标识
1D5
第1期 - 2006年9月
捷特科PLC 2006
1
www.zetex.com
ZXTN08400BFF
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压(正向阻断)
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压(反向阻断)
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
峰值脉冲电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
极限
450
450
400
6
7
0.5
1
0.2
0.84
6.72
1.34
10.72
1.5
12.0
2.0
16.0
- 55 150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
极限
149
93
83
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项:
(一)对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在
静止空气条件。
(二)安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
(三)安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
( d)由于上述(c)在t<5secs测定。
第1期 - 2006年9月
捷特科PLC 2006
2
www.zetex.com
ZXTN08400BFF
典型特征
第1期 - 2006年9月
捷特科PLC 2006
3
www.zetex.com
ZXTN08400BFF
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压(正向阻断)
集电极 - 发射极击穿
电压(基本开)
发射极 - 集电极击穿
电压(反向阻断)
发射极 - 集电极击穿
电压(基本开)
发射极 - 基极击穿
电压
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止
当前
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
BV
CBO
BV
CEX
BV
首席执行官
BV
ECX
BV
ECO
BV
EBO
I
CBO
I
CEX
I
EBO
V
CE ( SAT )
分钟。
450
450
400
6
6
7
典型值。
550
550
500
8.0
8.5
8.1
<1
<1
<1
70
50
120
125
基射极饱和电压V
BE ( SAT )
基射极导通电压
V
BE(上)
90
100
10
跃迁频率
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
865
800
165
180
20
40
8
100
52
3122
240
300秒;占空比
2%.
MAX 。单位条件
V
V
V
V
V
V
50
20
100
50
85
70
170
175
950
900
nA
A
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
= 100 A
I
C
= 100 A,R
BE
< 1K
-1V < V
BE
< 0.25V
I
C
= 10毫安
(*)
I
E
= 100 A,R
BC
<或1K
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= 100 A,
I
E
= 100 A
V
CB
= 360V
V
CB
= 360V ,T
AMB
= 100°C
V
CE
= 360V ,R
BE
< 1K
-1V < V
BE
< 0.25V
V
EB
= 5.6V
I
C
= 20mA时,我
B
= 1毫安
(*)
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
(*)
I
C
= 300毫安,我
B
= 30毫安
(*)
I
C
= 500毫安,我
B
= 100毫安
(*)
I
C
= 500毫安,我
B
= 100毫安
(*)
I
C
= 500毫安,V
CE
= 10V
(*)
I
C
= 1mA时, V
CE
= 5V
(*)
300
I
C
= 50mA时V
CE
= 5V
(*)
I
C
= 500毫安,V
CE
= 10V
(*)
兆赫我
C
= 10毫安,V
CE
= 20V
F = 20MHz的
10
pF
ns
ns
ns
ns
V
CB
= 20V , F = 1MHz的
(*)
V
CC
= 100V.
I
C
= 100mA时
I
B1
= 10毫安,我
B2
= 20mA电流。
or
or
静态正向电流办理H
FE
注意事项:
(*)的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
第1期 - 2006年9月
捷特科PLC 2006
4
www.zetex.com
ZXTN08400BFF
典型特征
第1期 - 2006年9月
捷特科PLC 2006
5
www.zetex.com
查看更多ZXTN08400BFFPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ZXTN08400BFF
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
ZXTN08400BFF
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8856
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多ZXTN08400BFF供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!